公开(公告)号：CN100352017C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN03820517.3

申请日：2003-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口正臣

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/308 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供可形成Hf1-xAlx(0＜x＜0.3)氧化膜的半导体装置的制造方法，该氧化膜具有作为栅绝缘膜所期望的特性。所述半导体装置的制造方法包括如下步骤：(a)在反应室内加热硅基板的步骤；和(b)向上述硅基板的表面供给含有原料气、氮化气和促氮化气的成膜气体，从而以热化学气相沉积在上述加热了的硅基板上堆积相对介电常数比氧化硅大的Hf1-xAlxO:N(0.1＜x＜0.3)膜的步骤。

公开(公告)号：CN1841772A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200510096571.0

申请日：2005-08-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 迫田恒久 ,  山口正臣 ,  南方浩志 ,  杉田义博 ,  池田和人

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。氮化硅膜16的防透膜被插置于硅衬底10与高k栅极绝缘膜18之间，由此防止高k栅极绝缘膜18被脱氧，同时在已经形成栅电极层20之后进行氧退火，由此补充氧。作为防透膜的氮化硅膜16变成氮氧化硅膜17而膜厚不变，由此能够防止由于氧损失引起的高k栅极绝缘膜18的特性退化，同时不会降低晶体管的特性。即使半导体器件的栅极绝缘膜是由高介电常数材料制成，其阈值电压也不会偏移。

公开(公告)号：CN1679151A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820517.3

申请日：2003-03-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山口正臣

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/308 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供可形成Hf1－xAlx(0＜x＜0.3＝氧化膜的半导体装置的制造方法，该氧化膜具有作为栅绝缘膜所期望的特性。所述半导体装置的制造方法包括如下步骤：(a)在反应室内加热硅基板的步骤；和(b)向上述硅基板的表面供给含有原料气、氮化气和促氮化气的成膜气体，从而以热化学气相沉积在上述加热了的硅基板上堆积相对介电常数比氧化硅大的Hf1－xAlxO：N(0.1＜x＜0.3)膜的步骤。