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公开(公告)号：CN1691143A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510060172.9
申请日：2003-04-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , B22F2998/00 , G11B5/64 , B22F1/0018
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10％或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层(14)的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
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公开(公告)号：CN100336112C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200510060172.9
申请日：2003-04-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , B22F2998/00 , G11B5/64 , B22F1/0018
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10%或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层(14)的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
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公开(公告)号：CN1467706A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03110162.3
申请日：2003-04-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , B22F2998/00 , G11B5/64 , B22F1/0018
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10％或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层14的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
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公开(公告)号：CN1230801C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN03110162.3
申请日：2003-04-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , B22F2998/00 , G11B5/64 , B22F1/0018
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10%或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层(14)的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
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