公开(公告)号：CN102522497A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110421394.4

申请日：2011-12-16

Applicant: 宿州学院

Inventor： 唐永刚 ,  彭振生 ,  王桂英

IPC: H01L43/10 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于，分两步制备材料，首先将高纯度的La2O3与Na2CO3、SrCO3、MnO2化学试剂按名义组分进行配料，研磨后按温度梯度经几次煅烧，制备钙钛矿结构母体材料La8/9Sr1/45Na4/45MnO3微粉，然后将制得的微粉晶体与V2O5粉末按比例混合，研磨，压制，煅烧得到最终产品。本发明的材料在室温区具有很好的温度稳定性，在这个温区MR几乎不变在磁传感器、磁存储等方面具有实用价值。

公开(公告)号：CN102522497B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201110421394.4

申请日：2011-12-16

Applicant: 宿州学院

Inventor： 唐永刚 ,  彭振生 ,  王桂英

IPC: H01L43/10 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种具有室温区温度稳定性的低场磁电阻材料的制备方法，其特征在于，分两步制备材料，首先将高纯度的La2O3与Na2CO3、SrCO3、MnO2化学试剂按名义组分进行配料，研磨后按温度梯度经几次煅烧，制备钙钛矿结构母体材料La8/9Sr1/45Na4/45MnO3微粉，然后将制得的微粉晶体与V2O5粉末按比例混合，研磨，压制，煅烧得到最终产品。本发明的材料在室温区具有很好的温度稳定性，在这个温区MR几乎不变在磁传感器、磁存储等方面具有实用价值。