公开(公告)号：CN111091978B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201911389280.9

申请日：2019-12-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 牛和林 ,  郑金锋 ,  廉笑 ,  吴胜虎 ,  李宗堂 ,  王梦真

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种Ni3S4量子点电极材料及其制备方法和应用，使用水和乙醇作为溶剂以及PVP作为封端剂，一步合成Ni3S4量子点。本发明制备Ni3S4量子点的方法简单、易于操作、环境友好。本发明制备的Ni3S4量子点具有优异的电化学性质，将Ni3S4量子点用于超级电容器电极材料时，它具有出色的电化学性能，在1A g‑1时的比电容为1440F g‑1。

公开(公告)号：CN111091978A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911389280.9

申请日：2019-12-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 牛和林 ,  郑金锋 ,  廉笑 ,  吴胜虎 ,  李宗堂 ,  王梦真

IPC: H01G11/30 ,  H01G11/26 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种Ni3S4量子点电极材料及其制备方法和应用，使用水和乙醇作为溶剂以及PVP作为封端剂，一步合成Ni3S4量子点。本发明制备Ni3S4量子点的方法简单、易于操作、环境友好。本发明制备的Ni3S4量子点具有优异的电化学性质，将Ni3S4量子点用于超级电容器电极材料时，它具有出色的电化学性能，在1A g-1时的比电容为1440F g-1。