公开(公告)号：CN118711631A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410861460.7

申请日：2024-06-28

Applicant: 江淮前沿技术协同创新中心 ,  安徽大学

Inventor： 王翊 ,  巩胜霞 ,  王婧逸 ,  柏娜 ,  许耀华 ,  周月亮 ,  许祥妹 ,  安康 ,  孙鹏

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C7/24 ,  G11C8/08

Abstract: 一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法，属于集成电路存储器领域，解决现有技术在辐射环境下，SRAM容易受到电离辐射的影响而导致存储单元的临时或永久性故障的问题；包括8个PMOS晶体管和6个NMOS晶体管，PMOS管P5的栅极与PMOS管P6的漏极电连接，PMOS管P5的漏极与PMOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构，同时，第一冗余节点与第二冗余节点采用双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制；本发明实现了可完全抵抗单个节点处发生数据翻转，同时，在双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。

公开(公告)号：CN115359822A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202211023668.9

申请日：2022-08-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 柏娜 ,  陈子涵 ,  许耀华 ,  王翊 ,  吕纪明 ,  周月亮

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419 ,  G11C8/14 ,  G11C7/24 ,  G11C7/18

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照存储单元，其由10个一类MOS晶体管、8个二类MOS晶体管和4个存储节点构成，10个一类MOS晶体管依次定义为P1～P10，8个二类MOS晶体管依次定义为N1～N8，4个存储节点依次为第一存储节点Q、第二存储节点QB、第一冗余节点S0及第二冗余节点S1。本发明的抗辐照存储单元的第一冗余节点S0和第二冗余节点S1均只由PMOS晶体管包围，在不同存储状态下，总有1个节点处于极性加固状态，可以有效避免发生数据翻转；同时节点数据的稳定保证了剩余节点可以在发生翻转后通过电路反馈恢复至初始状态，从而使得电路抗SEU的能力得到了提高。

公开(公告)号：CN115394334A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211023666.X

申请日：2022-08-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 许耀华 ,  周月亮 ,  柏娜 ,  王翊 ,  李赟菲 ,  陈子涵

IPC: G11C11/41 ,  G11C11/413 ,  G11C11/414 ,  G11C11/416

Abstract: 本发明公开了一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其由10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点组成，10个一类MOS管依次记为P1～P10，8个二类MOS管依次记为N1～N8，4个节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点。本发明的18T抗辐照SRAM存储单元电路，一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构实现完全抵抗单个节点处发生数据翻转；同时，由于第一存储节点与第二存储节点采用双上拉管与双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制，使得双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。