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公开(公告)号:CN1849326B
公开(公告)日:2011-02-16
申请号:CN200480025767.4
申请日:2004-09-03
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C07F7/045 , C07F7/025 , C08F10/00 , C08F4/6574
Abstract: 本发明涉及三烷氧卤硅烷的制造方法,其是使以化学式37表示的四卤硅烷和以化学式38表示的四烷氧基硅烷在混合有醇的条件下反应,从而得到以化学式39表示的三烷氧基卤硅烷的三烷氧基卤硅烷的制造方法,所述醇是具有与所述四烷氧基硅烷相同的烷氧基的醇,该制造方法的特征在于,相对所述四卤硅烷和所述四烷氧基硅烷的Si总量,所述醇为5mol%~50mol%;化学式37为SiX4,其中,X是卤素;化学式38为Si(OR1)4,其中,R1是碳原子数为1~6的烃基;化学式39为XSi(OR1)3,其中,X是卤素,R1碳原子数为1~6的烃基。
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公开(公告)号:CN1849326A
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN200480025767.4
申请日:2004-09-03
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: C07F7/045 , C07F7/025 , C08F10/00 , C08F4/6574
Abstract: 本发明涉及三烷氧卤硅烷的制造方法,其是使以化学式37表示的四卤硅烷和以化学式38表示的四烷氧基硅烷在混合有醇的条件下反应,从而得到以化学式39表示的三烷氧基卤硅烷的三烷氧基卤硅烷的制造方法,所述醇是具有与所述四烷氧基硅烷相同的烷氧基的醇,该制造方法的特征在于,相对所述四卤硅烷和所述四烷氧基硅烷的Si总量,所述醇为5mol%~50mol%;化学式37为SiX4,其中,X是卤素;化学式38为Si(OR1)4,其中,R1是碳原子数为1~6的烃基;化学式39为XSi(OR1)3,其中,X是卤素,R1碳原子数为1~6的烃基。
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