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公开(公告)号:CN112313264A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN201980040361.X
申请日:2019-04-19
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C08G73/10 , G02F1/1333 , H01L21/312 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 提供一种柔性电子器件,其包含显示出优异的C‑V特性的聚酰亚胺膜。在对以0.75μm的膜厚形成于电阻值为4Ωcm的硅晶片上的层积体进行电容‑电压测定时,该聚酰亚胺膜是由显示出0.005/V以上的最大梯度的聚酰亚胺形成的膜(其中,上述最大梯度含义如下:使施加到上述聚酰亚胺膜的直流电压在最低电压V1与最高电压V2之间,对于上述硅晶片一边进行正向扫描和负向扫描一边进行电容测定,第3次正向扫描时的标准化电容‑电压曲线中的梯度的绝对值的最大值即为最大梯度,上述标准化电容‑电压曲线将最低电压V1下的电容设为1而进行了标准化。)。
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公开(公告)号:CN111770950A
公开(公告)日:2020-10-13
申请号:CN201880089560.5
申请日:2018-12-27
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C08G73/10 , B32B9/00 , B32B17/10 , C08L79/08 , G02F1/1333
Abstract: 本发明涉及一种柔性器件基板形成用聚酰亚胺前体树脂组合物,其包含聚酰胺酸,该聚酰胺酸具有由满足下述式(1)和下述式(2)的成分得到的结构,该成分为:包含3,3’,4,4’‑联苯四羧酸二酐和均苯四酸二酐中的至少一者的四羧酸成分;包含对苯二胺和4,4’‑二氨基二苯基醚中的至少一者的二胺成分;和羧酸单酸酐。式(1)0.97≤X/Y<1.00式(2)0.5≤(Z/2)/(Y-X)≤1.05(式中,X表示上述四羧酸成分的摩尔数,Y表示上述二胺成分的摩尔数,Z表示上述羧酸单酸酐的摩尔数。)。
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