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公开(公告)号：CN114665011A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210156877.4
申请日：2022-02-21
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体增强效应的低功耗全光相变存储器，包括硅基平面光波导，特点是波导上设置有可在波导倏逝场耦合作用下发生晶态至非晶态的可逆相变的相变圆环结构，相变圆环结构卡嵌在金属圆盘和金属圆环之间，相变圆环结构、金属圆盘和金属圆环形成的同心圆结构整体位于波导上表面或者半嵌入波导中或者完全嵌入到波导中，相变圆环结构为相变层Ge2Sb2Te5或Ge2Sb2Se4Te，具有至少两个稳定的状态，即晶态和非晶态，且这两个状态对探测光具有明显不同的吸收系数，优点是相变受热均匀且开关速度更快和功耗更低。
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公开(公告)号：CN106744669B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201611046605.X
申请日：2016-11-23
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波导器件的单根纳米线的转移方法，特点是通过压印方法从沉积的纳米线样品取出并分散少量纳米线，经过光学显微镜选取纳米线并定位，在波导器件上通过曝光‑显影工艺在光刻胶上开一个待转移纳米线尺寸大小的窗口，利用热效应和范德华力作用使得纳米线吸附在波导器件上，采用退火处理增加纳米线和波导之间的黏附力，再采用去胶工艺得到基于单根纳米线的光子器件，优点是实现纳米线的分散，并精确定位单根纳米线转移至波导器件的方法，且转移后，其它未选取的纳米线不会污染波导器件本方法与传统方法相比，更加简单、经济，适用范围更广。
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公开(公告)号：CN108279511A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201711453218.2
申请日：2017-12-28
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的电光调制器，包括SOI基片，特点是SOI基片上沿水平方向设置有依次相接的输入波导、混合波导和输出波导，所述的混合波导从下到上依次由硅波导层、相变材料GST层和铜电极层叠加而成，SOI基片包括一层厚度为250nm的硅衬底和一层厚度为2um的二氧化硅层，输入波导的厚度和输出波导的厚度均为250nm、宽度均为400nm，混合波导的厚度为290nm，宽度为400nm，硅波导层一侧通过选择性刻蚀形成厚度为10nm的硅薄膜，优点是具有尺寸小便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较高的调制深度以及较低的插入损耗。
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公开(公告)号：CN105280814B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510617080.X
申请日：2015-09-24
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种新型相变存储单元及其制备方法，特点是半导体衬底上设置有呈水平分布的多层电极，多层电极的中间从下到上依次嵌设有相变存储薄膜及介质层，多层电极由至少两种不同的导电材料层按顺序上下交替排列形成至少10层界面结构，导电材料为TiN、Ti、Al、W、Ag、Au、Cu、TiW、HfN、WN、TaN或AlN，相变存储薄膜为存储材料Ge‑Sb‑Te体系，介质层采用的材料为Si3N4或SiO2，半导体衬底采用的材料为Si、SiC或SOI，多层电极的总厚度为150～500 nm，单层导电材料层的厚度为2‑15nm，优点是有效地降低热量流失，充分提高加热效率，进而降低操作电流，实现低功耗。
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公开(公告)号：CN105480955B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201510909387.7
申请日：2015-12-10
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法，特点是采用高纯度的Ge20Sb15Se65玻璃粉末作为原料，采用水平管式炉装置，以高纯氩气作为工作气体，采用镀金硅片衬底材料进行表面沉积的步骤；将衬底分别放入去离子水与无水乙醇中用超声清洗的步骤；控制高温区温度450~550℃，低温区300~400℃，氩气流量130~150sccm及真空度1~5torr的步骤；最后沉积90~120分钟制得Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的步骤，优点是工艺可控性强，生产成本低，重复性好，Ge‑Sb‑Se纳米线均匀致密。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106560526A
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201610250638.X
申请日：2016-04-21
Applicant: 宁波大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/06
Abstract: 本发明公开了一种用于光波导的Zn‑Se‑Ge硫系薄膜材料及其制备方法，特点其化学结构式为ZnxSeyGez，其中28
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公开(公告)号：CN105742489A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610119008.9
申请日：2016-03-03
Applicant: 宁波大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Zr掺杂Ge2Sb2Te5薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为Zrx(Ge2Sb2Te5)100?x，其中0
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公开(公告)号：CN105304815A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510711574.4
申请日：2015-10-28
Applicant: 宁波大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法，特点是多层纳米复合薄膜材料为GaSb/Sb多层复合薄膜，其结构符合通式：[GaSb(a)/Sb(b)]x，式中a、b分别表示所述的单层GaSb和单层Sb薄膜的厚度，3≤a≤7nm，b=2nm，x表示单层GaSb和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，x=13，17或者24，其由GaSb合金靶和Sb单质靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶交替溅射获得，具有较高的结晶温度，较好的热稳定性和较低的功耗。
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公开(公告)号：CN104810475A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510154171.4
申请日：2015-04-02
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米复合TiO2-Sb2Te相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是相变存储薄膜材料为介质材料TiO2与相变材料Sb2Te的复合物，其化学结构式为(TiO2)x(Sb2Te)100-x，其中0
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