公开(公告)号：CN117711950B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410164804.9

申请日：2024-02-05

Applicant: 季华实验室

Inventor： 李欣怡 ,  毕海 ,  张钰 ,  董美秋 ,  郭扬武 ,  于紫薇 ,  王魁 ,  杨兴龙

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392

Abstract: 本申请涉及钙钛矿薄膜领域，主要涉及一种α相CsPbI3薄膜及其制备方法。其中，包括以下步骤：（1）将CsI和PbI2溶解于溶剂中，得到CsPbI3前驱体溶液；（2）将CsPbI3前驱体溶液旋涂于基底表面上，经过第一次静置，再在所述基底上滴加二苯基次膦酰氯溶液，再经过第二次静置直至基底表面颜色从黄转黑，旋转基底；（3）对基底进行退火处理，在基底上得到所述α相CsPbI3薄膜。本申请的α相CsPbI3薄膜的制备方法操作便利，成本低，成膜性好，条件容易达成，便于工厂规模化生产。通过该方法制得的α相CsPbI3薄膜结晶性好，表面致密平整，相稳定性高，对光伏材料的可拓展生产有重要意义。

公开(公告)号：CN117711950A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410164804.9

申请日：2024-02-05

Applicant: 季华实验室

Inventor： 李欣怡 ,  毕海 ,  张钰 ,  董美秋 ,  郭扬武 ,  于紫薇 ,  王魁 ,  杨兴龙

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392

Abstract: 本申请涉及钙钛矿薄膜领域，主要涉及一种α相CsPbI3薄膜及其制备方法。其中，包括以下步骤：（1）将CsI和PbI2溶解于溶剂中，得到CsPbI3前驱体溶液；（2）将CsPbI3前驱体溶液旋涂于基底表面上，经过第一次静置，再在所述基底上滴加二苯基次膦酰氯溶液，再经过第二次静置直至基底表面颜色从黄转黑，旋转基底；（3）对基底进行退火处理，在基底上得到所述α相CsPbI3薄膜。本申请的α相CsPbI3薄膜的制备方法操作便利，成本低，成膜性好，条件容易达成，便于工厂规模化生产。通过该方法制得的α相CsPbI3薄膜结晶性好，表面致密平整，相稳定性高，对光伏材料的可拓展生产有重要意义。

公开(公告)号：CN119243339A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411779806.5

申请日：2024-12-05

Applicant: 季华实验室

Inventor： 董美秋 ,  董克燕 ,  郭扬武 ,  张钰 ,  杨兴龙

IPC: C30B29/54 ,  C30B7/02 ,  C30B7/14 ,  G02F1/355

Abstract: 本申请涉及非线性光学技术领域，公开了一种非线性光学晶体及其制备方法和应用，所述非线性光学晶体的化学式为(S‑C9H14N)4Bi2Cl10。本申请的非线性光学晶体为无铅有机‑无机钙钛矿晶体，不含有毒铅，透过范围为0.33‑3.0 μm，其粉末倍频性能与0.029×AgGaS2相当，该非线性光学晶体可应用于非线性光学领域，丰富非线性光学材料研究内容。

公开(公告)号：CN117737862A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311806073.5

申请日：2023-12-26

Applicant: 季华实验室

Inventor： 董美秋 ,  毕海 ,  张钰 ,  李欣怡 ,  郭扬武 ,  于紫薇 ,  王魁 ,  杨兴龙

IPC: C30B29/54 ,  C30B29/12 ,  C30B29/62 ,  C30B7/08

Abstract: 本申请涉及光电功能晶体领域，主要涉及一种光电功能晶体及其制备方法、光电探测器件。其中，光电功能晶体的化学式为(C5H7N2S)2Pb3I8，属于单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为：a＝24.3332，b＝4.5365，c＝30.566，α＝γ＝90°，β＝109.077°。该一维有机‑无机杂化金属卤化物光电功能晶体采用溶液蒸发法生长，在晶体结构中ThFA+阳离子作为插层，将晶体中的无机部分隔开形成一维结构，吸收峰在418 nm，具有较好的空气稳定性和光电探测功能，该晶体可应用在光电探测器领域，丰富光电功能材料研究内容。