公开(公告)号：CN103597586A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280028505.8

申请日：2012-04-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高桥优 ,  樋口将史 ,  长沼有佑 ,  泽田幸平

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/306 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02274 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 一种纹理结构（3）的形成方法以及太阳能电池的制造方法，包括：在厚度300μm以下的半导体基板（1）的一个表面即第一表面（1a）形成氮化硅膜（2）的工序；通过蚀刻与半导体基板（1）的第一表面（1a）相反一侧的第二表面（1b）来形成纹理结构（3）的工序；氮化硅膜（2）的氮原子相对于硅原子的含有比率为1.3以上2以下。