公开(公告)号：CN104364917B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380031117.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中津弘志 ,  井上知也 ,  野中健太朗 ,  浅井俊晶 ,  竹冈忠士 ,  谷善彦

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮

公开(公告)号：CN104364917A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380031117.X

申请日：2013-05-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中津弘志 ,  井上知也 ,  野中健太朗 ,  浅井俊晶 ,  竹冈忠士 ,  谷善彦

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033 ,  H01L33/20

Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。