公开(公告)号：CN101461062B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向-8°以上+8°以下的方向。

公开(公告)号：CN101416313B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200780011981.8

申请日：2007-03-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种功率IC器件，其表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率MOS晶体管在同一芯片上构成。沟槽型功率MOS晶体管的源区(14)与表层沟道CMOS晶体管的栅极(21a)在同一平面上构成。根据上述结构，当沟槽型功率MOS晶体管和表层沟道CMOS晶体管在同一芯片上形成时，可以提供一种能够降低制造成本的功率IC器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN101461062A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面－8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向－8°以上+8°以下的方向。

公开(公告)号：CN101416313A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780011981.8

申请日：2007-03-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种功率IC器件，其表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率MOS晶体管在同一芯片上构成。沟槽型功率MOS晶体管的源区(14)与表层沟道CMOS晶体管的栅极(21a)在同一平面上构成。根据上述结构，当沟槽型功率MOS晶体管和表层沟道CMOS晶体管在同一芯片上形成时，可以提供一种能够降低制造成本的功率IC器件及其制造方法。