公开(公告)号：CN104185899A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380016278.1

申请日：2013-03-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安井忠 ,  森下敏 ,  藤田耕一郎 ,  栗田大佑

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/01017

Abstract: 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm-3以下的第二氯浓度峰(P22)。

公开(公告)号：CN104380445A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380031752.8

申请日：2013-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 栗田大佑

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 根据该氮化物半导体器件的电极构造，欧姆电极(111、112)从氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)起不与AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)接触地形成至绝缘膜(107)的表面(107C)，绝缘膜(107)覆盖AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)。因此，在通过干式蚀刻形成欧姆电极(111、112)时，能够利用绝缘膜(107)保护AlGaN阻挡层(104)的表面(104A)。

公开(公告)号：CN104185899B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201380016278.1

申请日：2013-03-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安井忠 ,  森下敏 ,  藤田耕一郎 ,  栗田大佑

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/01017

Abstract: 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm‑3以下的第二氯浓度峰(P22)。

公开(公告)号：CN103370777B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201280008771.4

申请日：2012-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 栗田大佑 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 由在基板上依次层积的GaN层（1）、AlGaN层（2）和在基板上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极以及AlGaN层（2）的有源区域形成异质结场效应晶体管。具有在该异质结场效应晶体管的有源区域以外的AlGaN层（2）上隔着绝缘膜（30形成的可焊接区域（31a）的漏极电极焊盘（31）与漏极电极连接。在AlGaN层（2）上并且在源极电极与漏极电极焊盘（31）的可焊接区域（31a）之间形成与栅极电极连接的栅极电极延伸部（14）。从而提供一种在不增大元件尺寸的情况下能够提高在无层间绝缘膜的绝缘膜上形成的漏极电极焊盘的可焊接区域与源极电极之间的耐压的半导体装置。

公开(公告)号：CN103370777A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008771.4

申请日：2012-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 栗田大佑 ,  吐田真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L23/4824 ,  H01L24/05 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 由在基板上依次层积的GaN层（1）、AlGaN层（2）和在基板上形成的栅极电极、源极电极、漏极电极以及AlGaN层（2）的有源区域形成异质结场效应晶体管。具有在该异质结场效应晶体管的有源区域以外的AlGaN层（2）上隔着绝缘膜（30形成的可焊接区域（31a）的漏极电极焊盘（31）与漏极电极连接。在AlGaN层（2）上并且在源极电极与漏极电极焊盘（31）的可焊接区域（31a）之间形成与栅极电极连接的栅极电极延伸部（14）。从而提供一种在不增大元件尺寸的情况下能够提高在无层间绝缘膜的绝缘膜上形成的漏极电极焊盘的可焊接区域与源极电极之间的耐压的半导体装置。