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公开(公告)号:CN109168322B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN201780020687.7
申请日:2017-02-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/048
Abstract: 背面电极型太阳能电池单元具备:第一导电型或第二导电型的半导体基板(1)的第一面(1b)的第一导电型杂质含有区域(2)和第二导电型杂质含有区域(3)及半导体基板(1)的第二面(1a)上的氮化硅膜(7)。氮化硅膜(7)中的氮的质量比为0.38以下。
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公开(公告)号:CN109168322A
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201780020687.7
申请日:2017-02-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/048
Abstract: 背面电极型太阳能电池单元具备:第一导电型或第二导电型的半导体基板(1)的第一面(1b)的第一导电型杂质含有区域(2)和第二导电型杂质含有区域(3)及半导体基板(1)的第二面(1a)上的氮化硅膜(7)。氮化硅膜(7)中的氮的质量比为0.38以下。
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