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公开(公告)号:CN101043203A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200610166741.2
申请日:2006-12-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H03F3/72 , H01L27/0207 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2203/7236 , H03G1/0029 , H03G1/0088
Abstract: 提供一种能获得大范围的增益变化并在放大晶体管之间切换时抑制线性度的劣化的可变增益放大器。该可变增益放大器包括:多个级联放大器,每一级联放大器包括一个放大输入信号的放大晶体管和多个级联连接至该放大晶体管的输出端的级联晶体管。多个级联放大器通过衰减器连接。该可变增益放大器还包括:第一控制器,用于控制每一级联放大器中所包括的多个级联晶体管的导通/截止操作;以及第二控制器,用于控制多个放大晶体管的导通/截止操作,该多个放大晶体管中只有一个被包括在该多个级联放大器中的每一个中,从而使多个放大晶体管中仅选择的那一个导通。
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公开(公告)号:CN103210487A
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201180054709.4
申请日:2011-02-02
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 幸谷真人
CPC classification number: H04B1/18 , H01L23/66 , H01L2224/49171 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体封装包括:具有输入匹配电路的半导体集成电路芯片,高频信号被输入到该输入匹配电路,并且该输入匹配电路被安排在管芯接合区域中;以及被安排在该管芯接合区域的周围的引线端子,并且其中,用接合导线将半导体集成电路芯片的端子连接到所述引线端子。在该半导体封装中,半导体集成电路芯片被安排在一位置处,该位置从所述管芯接合区域的中心部分向高频输入端子一侧移动和/或向接地端子一侧移动,该高频输入端子是用于将高频信号输入到该输入匹配电路的引线端子,该接地端子是用于该输入匹配电路的接地连接的引线端子。
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公开(公告)号:CN103210487B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201180054709.4
申请日:2011-02-02
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 幸谷真人
CPC classification number: H04B1/18 , H01L23/66 , H01L2224/49171 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体封装包括:具有输入匹配电路的半导体集成电路芯片,高频信号被输入到该输入匹配电路,并且该输入匹配电路被安排在管芯接合区域中;以及被安排在该管芯接合区域的周围的引线端子,并且其中,用接合导线将半导体集成电路芯片的端子连接到所述引线端子。在该半导体封装中,半导体集成电路芯片被安排在一位置处,该位置从所述管芯接合区域的中心部分向高频输入端子一侧移动和/或向接地端子一侧移动,该高频输入端子是用于将高频信号输入到该输入匹配电路的引线端子,该接地端子是用于该输入匹配电路的接地连接的引线端子。
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