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公开(公告)号：CN104508837B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201380040676.7
申请日：2013-09-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/02019 , H03F3/08 , H03F3/082
Abstract: 本发明提供一种受光传感器和具备该受光传感器的电子设备，在该受光传感器(1)中，第一电流反射镜电路(CM1)将光电流(Ipd)放大，晶体管(Tr11)的源极与MOS晶体管(Tr9)的栅极连接，MOS晶体管(Tr9)的阈值电压设定为晶体管(Tr11)的阈值电压以上，由此，降低光电二极管(PD)的电容，使受光传感器(1)能够在光电二极管(PD)被偏置的状态下高速地动作。
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公开(公告)号：CN102650546A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043675.5
申请日：2012-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44
Abstract: 提供一种能够确保足够的增益而不会导致输出信号的电压下降的光传感器以及电子设备。具备：正极接地的光电二极管(PD1)、一端连接到光电二极管(PD1)的负极的二极管组(DG1)、一端连接到二极管组(DG1)的另一端的电流源(I1)、对电流源(I1)的另一端施加一定电压的电源部、以及基极连接到光电二极管(PD1)的负极且集电极连接到电流源(I1)的一端的发射极接地型的NPN晶体管(QOUT1)。上述二极管组(DG1)是串联连接成导通方向朝向光电二极管(PD1)侧的n个(n是2以上的整数)二极管(D1，D2，...，Dn)，从二极管组(DG1)与电流源(I1)的连接点，在光电二极管(PD1)中流过的光电流变换为电压而作为光电变换信号输出。
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公开(公告)号：CN104508837A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040676.7
申请日：2013-09-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/02019 , H03F3/08 , H03F3/082
Abstract: 受光传感器(1)包括：通过光的输入而产生光电流(Ipd)的光电二极管(PD)；流动光电流(Ipd)的晶体管(Tr11)；与该晶体管(Tr11)一起构成第一电流反射镜电路(CM1)的晶体管(Tr12)；沟道类型与晶体管(Tr11)不同的晶体管(Tr9)；和将在晶体管(Tr11、Tr12)流动的电流转换为电压的电阻(R10)。第一电流反射镜电路(CM1)将光电流(Ipd)放大，晶体管(Tr11)的源极与MOS晶体管(Tr9)的栅极连接，MOS晶体管(Tr9)的阈值电压设定为晶体管(Tr11)的阈值电压以上，由此，降低光电二极管(PD)的电容，使受光传感器(1)能够在光电二极管(PD)被偏置的状态下高速地动作。
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公开(公告)号：CN102650546B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210043675.5
申请日：2012-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01J1/44
CPC classification number: G01J1/44
Abstract: 提供一种能够确保足够的增益而不会导致输出信号的电压下降的光传感器以及电子设备。具备：正极接地的光电二极管(PD1)、一端连接到光电二极管(PD1)的负极的二极管组(DG1)、一端连接到二极管组(DG1)的另一端的电流源(I1)、对电流源(I1)的另一端施加一定电压的电源部、以及基极连接到光电二极管(PD1)的负极且集电极连接到电流源(I1)的一端的发射极接地型的NPN晶体管(QOUT1)。上述二极管组(DG1)是串联连接成导通方向朝向光电二极管(PD1)侧的n个(n是2以上的整数)二极管(D1，D2，...，Dn)，从二极管组(DG1)与电流源(I1)的连接点，在光电二极管(PD1)中流过的光电流变换为电压而作为光电变换信号输出。
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