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公开(公告)号：CN107667422A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680027806.7
申请日：2016-02-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H02M7/48 , H03K19/003
CPC classification number: H03K17/082 , H01L21/822 , H01L23/3114 , H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L27/04 , H01L2224/32245 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/13062 , H01L2924/13064 , H02M7/003 , H03K17/0828 , H03K17/107 , H03K17/567 , H03K19/003 , H03K2017/6875 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
Abstract: 提供低导通电阻且负荷短路时的耐受性高的复合型半导体装置。在具备互相级联的常通型第一FET(Q1)及常断型第二FET(Q2)的复合型半导体装置(10)中，在对第一FET(Q1)的漏极施加的电压为400V的情况下，设从连接于复合型半导体装置(10)的负荷的短路开始的时间点的经过时间为短路后经过时间T；设第二FET的导通电阻的值为RonQ2，所述第一FET的阈值电压为VTHQ1，在所述第一FET的栅极电压为0V的时候，所述第一FET的饱和状态下之所述第一FET的漏极电流为Idmax1；短路后经过时间T≧2μsec的期间，限制成在防止所述第一FET的破坏程度内的漏极电流为Idmax的时候满足以下数学式的关系。
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公开(公告)号：CN103168421A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180050148.0
申请日：2011-07-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/06 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/687 , H03K17/063 , H03K17/6871 , H03K2017/066 , H03K2017/6875 , H03K2217/0081
Abstract: 本发明实现一种能在不另外设置绝缘电源的情况下向高压侧电路提供负栅极电压的栅极驱动电路。在第一晶体管(21)与第二晶体管进行串联连接的半桥电路中，驱动电路(1)包括：电容器(13)，该电容器(13)用于经由第一控制电路(11)将负栅极电压提供给高压侧的第一晶体管(21)；以及控制电路电源(14)，该控制电路电源(14)用于经由第二控制电路(12)将负栅极电压提供给低压侧的第二晶体管(22)，电容器(13)的一端经由开关元件(30)与控制电路电源(14)的-端子侧的负电压VEE相连接，另一端与输出端子(4)的电压相连接；对开关元件(30)进行控制，使其在第二晶体管(22)变为导通状态的时刻下导通。
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公开(公告)号：CN100356195C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510129738.9
申请日：2005-12-06
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 仲嶋明生
IPC: G01V8/12
CPC classification number: H03K17/941
Abstract: 本发明的光斩波器，对物体的通过区域投射脉冲光，将光接收元件接收的脉冲光变换为脉冲电流，包括：积分电路，将基于上述脉冲电流的脉冲信号进行积分并输出；以及检测电路，根据来自积分电路的输出，检测上述通过区域中有无物体，上述积分电路具有时间常数在上述脉冲信号的上升沿和下降沿互相不同的结构。因此，由于上述结构可以对光源进行脉冲驱动，所以可以减轻发光侧的损失并可以降低消耗电流，而且可以使用简单的结构的积分电路检测物体，所以具有可以降低成本的效果。
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公开(公告)号：CN1786738A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510129738.9
申请日：2005-12-06
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 仲嶋明生
IPC: G01V8/12
CPC classification number: H03K17/941
Abstract: 本发明的光斩波器，对物体的通过区域投射脉冲光，将光接收元件接收的脉冲光变换为脉冲电流，包括：积分电路，将基于上述脉冲电流的脉冲信号进行积分并输出；以及检测电路，根据来自积分电路的输出，检测上述通过区域中有无物体，上述积分电路具有时间常数在上述脉冲信号的上升沿和下降沿互相不同的结构。因此，由于上述结构可以对光源进行脉冲驱动，所以可以减轻发光侧的损失并可以降低消耗电流，而且可以使用简单的结构的积分电路检测物体，所以具有可以降低成本的效果。
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公开(公告)号：CN1180853A
公开(公告)日：1998-05-06
申请号：CN97119247.2
申请日：1997-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G05F1/10
CPC classification number: G05F1/575
Abstract: 输出晶体管向负载提供基于驱动电流的电流。输出电压分压作为反馈电压,误差放大器输出与反馈电压误差相对应的电压。此外,基极驱动电路根据误差放大器输出电压控制输出晶体管驱动电流。该驱动电流仅通过驱动电流检测电阻流至接地端。短路过电流保护电路由驱动电流检测电阻两端电压检测过电流,监测反馈电压来检测短路。该构成中不需要随驱动电流偏置的短路检测晶体管,可抑制误差放大器输出电压变动,因此,具有短路过电流保护电路的直流稳压电源电路的驱动电路可改善过渡响应特性。
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公开(公告)号：CN103168421B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180050148.0
申请日：2011-07-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/06 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/687 , H03K17/063 , H03K17/6871 , H03K2017/066 , H03K2017/6875 , H03K2217/0081
Abstract: 本发明实现一种能在不另外设置绝缘电源的情况下向高压侧电路提供负栅极电压的栅极驱动电路。在第一晶体管(21)与第二晶体管进行串联连接的半桥电路中，驱动电路(1)包括：电容器(13)，该电容器(13)用于经由第一控制电路(11)将负栅极电压提供给高压侧的第一晶体管(21)；以及控制电路电源(14)，该控制电路电源(14)用于经由第二控制电路(12)将负栅极电压提供给低压侧的第二晶体管(22)，电容器(13)的一端经由开关元件(30)与控制电路电源(14)的-端子侧的负电压VEE相连接，另一端与输出端子(4)的电压相连接；对开关元件(30)进行控制，使其在第二晶体管(22)变为导通状态的时刻下导通。
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公开(公告)号：CN105379118A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480036978.1
申请日：2014-06-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/08 , H03K17/10 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/6871 , H03K17/08142 , H03K17/102
Abstract: 本发明提供一种能够节省空间的复合型半导体器件及其控制方法。Si－FET(2)先导通，GaN器件(1)在Si－FET(2)导通后导通，由此复合型半导体器件(10)实现导通。
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公开(公告)号：CN1097214C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN97119247.2
申请日：1997-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G05F1/10
CPC classification number: G05F1/575
Abstract: 输出晶体管向负载提供基于驱动电流的电流。输出电压分压作为反馈电压，误差放大器输出与反馈电压误差相对应的电压。此外，基极驱动电路根据误差放大器输出电压控制输出晶体管驱动电流。该驱动电流仅通过驱动电流检测电阻流至接地端。短路过电流保护电路由驱动电流检测电阻两端电压检测过电流，监测反馈电压来检测短路。该构成中不需要随驱动电流偏置的短路检测晶体管，可抑制误差放大器输出电压变动，因此，具有短路过电流保护电路的直流稳压电源电路的驱动电路可改善过渡响应特性。
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