公开(公告)号：CN103903966A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410086982.0

申请日：2014-03-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  周通 ,  田爽 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种基于斜切硅衬底的超高密度锗硅量子点的制备方法。本发明利用斜切的Si(001)单晶片为衬底，经过化学清洗后，放入分子束外延设备中高温脱杂质，之后先外延生长一层硅的缓冲层，最后异质外延锗材料，从而得到超高密度的锗硅量子点。本发明提供了一种简单易行经济适用的方法，来获得高质量的超高密度量子点。此发明弥补了现有技术在制备高密度量子点材料时工艺繁琐且质量不高的问题。该发明所制备的高质量高密度的量子点材料将极大的提高基于量子点器件的光电转换效率。