公开(公告)号：CN107729589B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201610668879.6

申请日：2016-08-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  严昌浩 ,  周电 ,  王梦硕

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明属半导体可制造性设计领域，具体涉及考虑纳米工艺扰动下SRAM失效概率快速计算方法。本方法通过在参数空间内进行多起始点序列二次规划算法，搜索多个失效区域对应的最优偏移向量，构建重要性采样所需的偏移概率分布密度函数，并通过自适应建模技术加速重要性采样。本发明仿真精度高、仿真次数少，能达到快速计算的目的。本发明方法估计SRAM失效概率所需的SPICE仿真次数与参数空间维度大致呈线性关系，在高维参数空间中相较于现有技术具有较大优势。

公开(公告)号：CN107729589A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201610668879.6

申请日：2016-08-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 曾璇 ,  严昌浩 ,  周电 ,  王梦硕

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009

Abstract: 本发明属半导体可制造性设计领域，具体涉及考虑纳米工艺扰动下SRAM失效概率快速计算方法。本方法通过在参数空间内进行多起始点序列二次规划算法，搜索多个失效区域对应的最优偏移向量，构建重要性采样所需的偏移概率分布密度函数，并通过自适应建模技术加速重要性采样。本发明仿真精度高、仿真次数少，能达到快速计算的目的。本发明方法估计SRAM失效概率所需的SPICE仿真次数与参数空间维度大致呈线性关系，在高维参数空间中相较于现有技术具有较大优势。