公开(公告)号：CN115050640A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202210366905.5

申请日：2022-04-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙正宗 ,  巩鹏 ,  沈彬 ,  袁赛霖

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种制备金属/石墨烯电极/金刚石器件的方法，具有这样的特征，包括以下步骤：在金刚石表面直接生长共价键联结的石墨烯，然后将石墨烯加工为石墨烯电极，最后在石墨烯电极上沉积金属电极，得到金属/石墨烯电极/金刚石器件。该方法工艺简单、重复性好，通过在超宽禁带半导体金刚石材料表面生长并制备具有共价键联结的石墨烯电极，显著降低器件的欧姆接触电阻。为实现超宽禁带半导体在高功率器件、高能探测器和光电器件等方面的应用奠定了良好的基础。

公开(公告)号：CN113582173A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110951221.7

申请日：2021-08-18

Applicant: 上海交通大学 ,  复旦大学

Inventor： 沈彬 ,  孙正宗 ,  吉喆

IPC: C01B32/28 ,  C01B32/186

Abstract: 一种通过共价键连接的石墨烯‑金刚石共价异质结构及其制备方法，以金刚石为基体，采用低熔点金属作为催化剂覆盖在金刚石基体表面，采用低熔点金属作为催化剂，通过加热后CVD反应使得金刚石的表面转化为石墨烯，并且以共价键方式与下层金刚石基体连接。本发明可以将金刚石基体作为石墨烯结构形成的碳源，也可以在反应过程中加入其他气态或固态碳源。制备获得的石墨烯片层多为1‑10层的高质量少层石墨烯，片层内缺陷含量极低。