一种In2O3@InN/ZnIn2S4三元复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN114632532B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202210182994.8

    申请日:2022-02-27

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 戴维林 张慧慧

    Abstract: 本发明属于半导体光催化产氢技术领域,具体为In2O3@InN/ZnIn2S4复合光催化剂及其制备方法。本发明以In‑MOF热解制得的In2O3纳米管为主体催化剂,通过与三聚氰胺混合研磨,并在氮气氛围下高温煅烧,将In2O3表面部分转化成InN,再通过溶剂热法将ZnIn2S4均匀包覆在In2O3@InN催化剂上。本发明制备方法简单,原材料易得,界面作用强,产氢性能优异。高效的光催化产氢活性得益于In2O3与ZnIn2S4通过界面相互作用形成的异质结,有效抑制大量光生电子‑空穴对的复合;InN调整了In2O3的表面组成,促进了In2O3与ZnIn2S4之间的电荷转移,从而提高光生载流子的迁移速率。

    一种In2O3@InN/ZnIn2S4三元复合光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN114632532A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210182994.8

    申请日:2022-02-27

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 戴维林 张慧慧

    Abstract: 本发明属于半导体光催化产氢技术领域,具体为In2O3@InN/ZnIn2S4复合光催化剂及其制备方法。本发明以In‑MOF热解制得的In2O3纳米管为主体催化剂,通过与三聚氰胺混合研磨,并在氮气氛围下高温煅烧,将In2O3表面部分转化成InN,再通过溶剂热法将ZnIn2S4均匀包覆在In2O3@InN催化剂上。本发明制备方法简单,原材料易得,界面作用强,产氢性能优异。高效的光催化产氢活性得益于In2O3与ZnIn2S4通过界面相互作用形成的异质结,有效抑制大量光生电子‑空穴对的复合;InN调整了In2O3的表面组成,促进了In2O3与ZnIn2S4之间的电荷转移,从而提高光生载流子的迁移速率。

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