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发明公开
一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用审中-实审

公开(公告)号：CN119859250A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202411899611.4

申请日：2024-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 赵岩 , 张瑜 , 王芝慧 , 陆雪峰 , 常东东 , 刘云圻

IPC: C08G61/12 , H10K85/10 , H10K10/46

Abstract: 本发明属于有机半导体材料技术领域，具体为一种本征低熔点聚合物半导体材料及其制备方法和应用。本发明聚合物半导体材料是以大环冠醚为侧链的吡咯并吡咯二酮类本征低熔点聚合物。本发明通过在侧链中引入大环冠醚，实现对现有有机聚合物熔点的降低。本发明提供的聚合物可以通过熔融摩擦转移法获得高取向性半导体薄膜，该半导体薄膜可作为有机场效应晶体管中的有机半导体层，得到一种新的有机场效应晶体管；通过调控分子堆积模式，提高有机场效应晶体管的载流子迁移率。本发明为无溶剂加工有机场效应晶体管器件提供可行方法，这将有助于解决利用氯化溶剂的传统溶液法加工引发的环境污染问题。

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