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公开(公告)号：CN115993383A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211564247.7
申请日：2022-12-07
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种大晶畴石墨烯外延氨气传感器，具有这样的特征，包括：基底层、石墨烯层、金属有机骨架材料层以及电极层。该传感器以毫米晶畴的石墨烯为模板外延生长金属有机框架材料，具有良好的导电性(150‑800Ω/squ)和对氨气的超灵敏响应(检出限低至0.1ppb)，可以实现人体呼吸中痕量氨气组分的精确检测。此外，传感器还具有优秀的柔性和抗疲劳特性，可耐弯折500万次，具有进一步发展成为可穿戴柔性传感器的潜力。
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公开(公告)号：CN115726033B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202111011430.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种快速生长双层石墨烯单晶的方法，包括以下步骤：步骤1，把催化剂和抛光处理后的铜箔放入两个石英舟并置于石英管内，石英管外部有加热套和管式炉，将催化剂置于加热套中心，铜箔置于管式炉中央，打开连接石英管的真空泵，对加热套和管式炉进行升温，直到压强降低至预设压强；步骤2，在真空中对铜箔退火处理；步骤3，向石英管中通入氢气和二氧化碳，并迅速调节压力，在催化剂作用下反应生成甲烷、一氧化碳和水，甲烷作为直接碳源，在含氧刻蚀性组分中在铜箔上生长得到双层石墨烯单晶；步骤4，将铜箔从管式炉中央移出，通入氢气并在设定压力中迅速降温；步骤5，取出降温至室温的铜箔，并将铜箔上的双层石墨烯单晶转移到硅片上。
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公开(公告)号：CN115726033A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202111011430.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了一种快速生长双层石墨烯单晶的方法，包括以下步骤：步骤1，把催化剂和抛光处理后的铜箔放入两个石英舟并置于石英管内，石英管外部有加热套和管式炉，将催化剂置于加热套中心，铜箔置于管式炉中央，打开连接石英管的真空泵，对加热套和管式炉进行升温，直到压强降低至预设压强；步骤2，在真空中对铜箔退火处理；步骤3，向石英管中通入氢气和二氧化碳，并迅速调节压力，在催化剂作用下反应生成甲烷、一氧化碳和水，甲烷作为直接碳源，在含氧刻蚀性组分中在铜箔上生长得到双层石墨烯单晶；步骤4，将铜箔从管式炉中央移出，通入氢气并在设定压力中迅速降温；步骤5，取出降温至室温的铜箔，并将铜箔上的双层石墨烯单晶转移到硅片上。
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公开(公告)号：CN115050640A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210366905.5
申请日：2022-04-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种制备金属/石墨烯电极/金刚石器件的方法，具有这样的特征，包括以下步骤：在金刚石表面直接生长共价键联结的石墨烯，然后将石墨烯加工为石墨烯电极，最后在石墨烯电极上沉积金属电极，得到金属/石墨烯电极/金刚石器件。该方法工艺简单、重复性好，通过在超宽禁带半导体金刚石材料表面生长并制备具有共价键联结的石墨烯电极，显著降低器件的欧姆接触电阻。为实现超宽禁带半导体在高功率器件、高能探测器和光电器件等方面的应用奠定了良好的基础。
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