公开(公告)号：CN116478449B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310584809.2

申请日：2023-05-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 冯宇 ,  杨凯伦 ,  陈庆国

IPC: C08K3/38 ,  C08K7/00 ,  C08K9/10 ,  C08L63/02

Abstract: 一种一维核壳结构导热填料的制备方法及其应用，涉及聚合物基导热复合材料技术领域。本发明的目的是为了解决如何得到一种兼具导热和绝缘性能的聚合物基复合材料，同时实现低填充量以及优异的稳定性的问题。本发明提供一种一维核壳结构导热填料的制备方法，采用了静电纺丝法，以硅溶胶为基底材料，调节氮化硼纳米片的含量，得到不同氮化硼含量的高导热一维填料，相对于商用的氮化硼纳米片在面内和面外方向都有显著的提高。本发明可获得一种一维核壳结构导热填料的制备方法及其应用。

公开(公告)号：CN116478449A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310584809.2

申请日：2023-05-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 冯宇 ,  杨凯伦 ,  陈庆国

IPC: C08K3/38 ,  C08K7/00 ,  C08K9/10 ,  C08L63/02

Abstract: 一种一维核壳结构导热填料的制备方法及其应用，涉及聚合物基导热复合材料技术领域。本发明的目的是为了解决如何得到一种兼具导热和绝缘性能的聚合物基复合材料，同时实现低填充量以及优异的稳定性的问题。本发明提供一种一维核壳结构导热填料的制备方法，采用了静电纺丝法，以硅溶胶为基底材料，调节氮化硼纳米片的含量，得到不同氮化硼含量的高导热一维填料，相对于商用的氮化硼纳米片在面内和面外方向都有显著的提高。本发明可获得一种一维核壳结构导热填料的制备方法及其应用。