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公开(公告)号：CN105734614B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201610179522.1
申请日：2016-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法，它涉及一种制备锗纳米线簇的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备锗纳米线成本高、工艺复杂的问题。方法：一、配制电解液；二、将工作电极浸入到电解液中，再将紫外灯固定到电解池上方，再连接电化学工作站；三、对电解液照射；四、进行循环伏安扫描；五、恒压沉积：六、清洗、干燥，在工作电极表面得到锗纳米线簇。本发明方法工艺简单，操作方便，不需要使用模板剂，容易实施；本发明制备的锗纳米线簇的长为400nm～500nm，直径70nm～90nm。本发明可获得一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103145118A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310067847.7
申请日：2013-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种三维互通大孔石墨烯高效吸油材料的制备方法，涉及高效吸油材料及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的石墨烯吸油材料制备方法中，存在着孔径和孔隙率不可调节，制备方法成本高，操作复杂的问题。一种三维互通大孔石墨烯高效吸油材料的制备方法：一、配制氧化石墨烯溶液；二、向氧化石墨烯溶液中加入聚苯乙烯微球和抗坏血酸，制备石墨烯高效吸油材料初产品；三、清洗；四、冷冻干燥。本发明通过控制聚苯乙烯微球的粒径和不同的加入量，达到控制石墨烯高效吸油材料的孔径和孔隙率大小的目的，同时对油类及有毒有机物的吸附倍率能达到40～60g/g。本发明适用于环境保护领域。
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公开(公告)号：CN105908229A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610280254.2
申请日：2016-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法，本发明涉及一种调节三维光子晶体带隙的方法，它为了解决现有调节三维光子晶体带隙的方法调节范围较窄、精度低的问题。调节三维光子晶体带隙的方法：一、铜箔垂直放入PS微球乳液中进行培养，得到生长有PS胶体模板的铜箔；二、将GeCl4加入(EMIM)TF2N中，得到电解液；三、使用三电极的电解池，采用恒电势法进行电沉积锗，得到三维锗薄膜；四、在三电极体系中进行嵌锂和脱锂过程，从而调节三维光子晶体带隙。本发明通过控制电压的方向，使具有三维光子晶体结构的锗薄膜相应地发生嵌锂及脱锂过程，由于Ge体积膨胀大，因此该方法的调节范围非常大。
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公开(公告)号：CN105734614A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610179522.1
申请日：2016-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法，它涉及一种制备锗纳米线簇的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备锗纳米线成本高、工艺复杂的问题。方法：一、配制电解液；二、将工作电极浸入到电解液中，再将紫外灯固定到电解池上方，再连接电化学工作站；三、对电解液照射；四、进行循环伏安扫描；五、恒压沉积：六、清洗、干燥，在工作电极表面得到锗纳米线簇。本发明方法工艺简单，操作方便，不需要使用模板剂，容易实施；本发明制备的锗纳米线簇的长为400nm～500nm，直径70nm～90nm。本发明可获得一种紫外辅助离子液体电沉积锗纳米线簇的方法。
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公开(公告)号：CN103145118B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310067847.7
申请日：2013-03-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种三维互通大孔石墨烯高效吸油材料的制备方法，涉及高效吸油材料及其制备方法的领域。本发明是要解决现有的石墨烯吸油材料制备方法中，存在着孔径和孔隙率不可调节，制备方法成本高，操作复杂的问题。一种三维互通大孔石墨烯高效吸油材料的制备方法：一、配制氧化石墨烯溶液；二、向氧化石墨烯溶液中加入聚苯乙烯微球和抗坏血酸，制备石墨烯高效吸油材料初产品；三、清洗；四、冷冻干燥。本发明通过控制聚苯乙烯微球的粒径和不同的加入量，达到控制石墨烯高效吸油材料的孔径和孔隙率大小的目的，同时对油类及有毒有机物的吸附倍率能达到40～60g/g。本发明适用于环境保护领域。
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公开(公告)号：CN105908229B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610280254.2
申请日：2016-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法，本发明涉及一种调节三维光子晶体带隙的方法，它为了解决现有调节三维光子晶体带隙的方法调节范围较窄、精度低的问题。调节三维光子晶体带隙的方法：一、铜箔垂直放入PS微球乳液中进行培养，得到生长有PS胶体模板的铜箔；二、将GeCl4加入(EMIM)TF2N中，得到电解液；三、使用三电极的电解池，采用恒电势法进行电沉积锗，得到三维锗薄膜；四、在三电极体系中进行嵌锂和脱锂过程，从而调节三维光子晶体带隙。本发明通过控制电压的方向，使具有三维光子晶体结构的锗薄膜相应地发生嵌锂及脱锂过程，由于Ge体积膨胀大，因此该方法的调节范围非常大。
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