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发明公开
碳化硅单晶的清洗方法无效

公开(公告)号：CN103949429A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410178793.6

申请日：2014-04-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张丹 , 赵淑贞 , 张飞虎 , 甘阳

IPC: B08B3/02 , B08B3/08

CPC classification number: B08B3/02 , B08B3/08

Abstract: 碳化硅单晶的清洗方法，它涉及一种单晶的清洗方法。本是为了解决现有清洗SiC的方法步骤繁琐的技术问题。本方法如下：将SiC单晶在温度为75～85℃的混合溶液A中浸泡15～25min，然后用去离子水冲洗SiC单晶，再氮气吹干，所述混合溶液A为浓硫酸和双氧水的混合液，其中浓硫酸与双氧水的体积比为2.8～3.2：1。本发明的SiC单晶的清洗方法重复性好，清洗得的SiC单晶洁净度高，清洗后的SiC单晶表面只有Si、O、C三种元素，其中杂质碳含量

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