公开(公告)号：CN111778553A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010743770.0

申请日：2020-07-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  李一村 ,  代兵 ,  曹康丽 ,  裴佩 ,  郝晓斌 ,  舒国阳 ,  赵继文 ,  张森

IPC: C30B25/18

Abstract: 用于提升CVD单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法，本发明属于金刚石制备领域，它为了解决现有籽晶预处理方式难以处理籽晶内部原有缺陷及内应力的问题。等离子体退火方法：一、采用激光切割将目标籽晶沿厚度方向切割成两片籽晶，对目标籽晶的激光切割面进行抛光处理；二、籽晶放入MPCVD金刚石生长设备中，抽真空，向腔体内通入氢气并点燃等离子体进行等离子体退火处理；三、依次重复切割抛光处理以及等离子体退火处理多次，得到高品质薄籽晶。本发明通过减薄籽晶与等离子体退火交替反复进行，能够有效降低籽晶内部原有缺陷密度，并不断释放内应力，且能够将一块品质一般的较厚籽晶，处理得到若干品质较优的薄籽晶。