-
公开(公告)号：CN102886934A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210417753.3
申请日：2012-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜及其制备方法，本发明涉及一种多铁性薄膜及其制备方法。本发明是要解决现有的BiFeO3(BFO)基薄膜漏电流较大、铁磁性能较差、与Pt底电极发生反应生成Bi2Pt等合金，从而导致其综合性能下降及现有方法无法制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜的问题。本发明的一种结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜由钛酸锶钡基溶胶和BFO基溶胶制备而成。制备方法：一、制备缓冲层薄膜：二、沉积BFO基薄膜，然后采用快速退火工艺获得结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。本发明主要用于制备结晶完全且无杂相产生的多铁性薄膜。
Search Results
1
records
(took 0.03 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
