公开(公告)号：CN119995116A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510129304.6

申请日：2025-02-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 吴绍朋 ,  钭楚杰 ,  方嘉杨 ,  严作光 ,  段昭宇

IPC: H02J7/34 ,  H02J7/00 ,  H02P9/02

Abstract: 一种无刷空芯脉冲发电机与超级电容器混合储能的自激式脉冲电源拓扑结构及控制方法，本发明涉及脉冲电源领域。解决现有技术中蓄电池储能密度高但功率密度低，大电流循环寿命短，高压充电速度慢且较高的升压比导致蓄电池与超级电容之间的升压变换器工作于临近饱和工况，严重影响了充电速度和充电线性度的问题。所述自激式脉冲电源拓扑结构包括原动机、无刷空芯脉冲发电机、自激充电整流桥、脉冲电容器组及负载；所述原动机与无刷空芯脉冲发电机转子同轴连接；所述自激充电整流桥与无刷空芯脉冲发电机和脉冲电容器组串联；所述无刷空芯脉冲发电机与脉冲电容器组以并联的形式共同向负载放电。还适用于基于惯性、磁场、电场三种形式的混合储能领域中。

公开(公告)号：CN117614251A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311610587.3

申请日：2023-11-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 吴绍朋 ,  于佳强 ,  杜博超 ,  钭楚杰 ,  段昭宇

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，提出了一种驱动电压与电阻混合调节的SiC MOSFET有源驱动电路及其控制方法。所述驱动电压V1与开关M1的漏极相连接，所述开关M1的源极与驱动电阻R4的一端相连接，所述驱动电阻R4的另一端分别与开关M2的源极、驱动电阻R3的一端、驱动电阻R2的一端和碳化硅场效应管SiC MOSFET的漏极相连接，所述开关M2的漏极与驱动电压V2相连接，所述驱动电阻R2的另一端分别与驱动电阻R1的一端、碳化硅场效应管SiC MOSFET的源极相连接，所述驱动电阻R3的另一端与开关M3的源极相连接，所述开关M3的漏极接地；所述驱动电阻R1的另一端与开关M4的源极相连接，所述开关M4的漏极接地。本发明从源头上改善了电力电子变换器的电磁兼容。

公开(公告)号：CN118041100A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410054369.4

申请日：2024-01-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 吴绍朋 ,  段昭宇 ,  杜博超 ,  于佳强

IPC: H02M7/483 ,  H02M7/5387 ,  H02M7/5395 ,  H02P6/08 ,  H02P27/06

Abstract: MMC子模块拓扑电路、MMC永磁同步电机驱动系统及控制方法，属于高压大功率永磁同步电机的驱动，尤其涉及模块化多电平换流器；解决了现有MMC所存在的要么不具备电容电压波动抑制、直流故障穿越以及负电平输出等功能，要么造价昂贵，要么无法实现轻量化的问题；所述系统包括：接地端、2个直流电源、6个桥臂以及4n个三绕组变压器；所述级联结构由n个MMC子模块拓扑电路级联组成，所述MMC子模块拓扑电路为上述MMC子模块拓扑电路。所述的MMC子模块拓扑电路以及MMC永磁同步电机驱动系统，适用于驱动高压大功率永磁同步电机。