公开(公告)号：CN104195515B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201410418382.X

申请日：2014-08-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王浪平 ,  林铁贵 ,  王小峰

IPC: C23C14/35

Abstract: 一种高功率双极脉冲磁控溅射方法，涉及一种双极脉冲磁控溅射方法。本发明的目的是为了解决现有的高功率单级磁控溅射电荷积累而产生的打火的技术问题。本发明的一种高功率双极脉冲磁控溅射方法是按以下步骤进行：一、安装设备；二、设置电源参数；三、预溅射；四、溅射。本发明优点：本发明方法即可有效的抑制靶的打火现象，提高溅射效率，又可获得高致密性和高结合力的薄膜。本发明应用于磁控溅射领域。

公开(公告)号：CN104195515A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410418382.X

申请日：2014-08-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王浪平 ,  林铁贵 ,  王小峰

IPC: C23C14/35

Abstract: 一种高功率双极脉冲磁控溅射方法，涉及一种双极脉冲磁控溅射方法。本发明的目的是为了解决现有的高功率单级磁控溅射电荷积累而产生的打火的技术问题。本发明的一种高功率双极脉冲磁控溅射方法是按以下步骤进行：一、安装设备；二、设置电源参数；三、预溅射；四、溅射。本发明优点：本发明方法即可有效的抑制靶的打火现象，提高溅射效率，又可获得高致密性和高结合力的薄膜。本发明应用于磁控溅射领域。