一种磷掺杂钴酸镍/铜氧化物/泡沫铜异质结构材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115360025A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202211153332.4

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 一种磷掺杂钴酸镍/铜氧化物/泡沫铜异质结构材料的制备方法,它涉及双金属氧化物材料的制备方法。它是要解决现有的双金属氧化物的倍率性差的技术问题。本发明通过诱导清洗过的泡沫铜表面生长出铜纳米线,再浸泡在低浓度葡萄糖以及通过在高温煅烧的策略,生成不同价态的铜氧化物,之后在纳米线上生长普鲁士蓝类似物,再经历两步退火,生成磷掺杂的钴酸镍/铜氧化物/泡沫铜的异质结构材料。本发明的磷掺杂钴酸镍/金属氧化物/泡沫铜异质结构材料的电容在电流密度为3A g‑1时为1427F g‑1,当电流密度从3A g‑1增至20A g‑1时,电容保持率达86%。可用于高性能电容器领域。

    一种磷掺杂钴酸镍/铜氧化物/泡沫铜异质结构材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115360025B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202211153332.4

    申请日:2022-09-19

    Abstract: 一种磷掺杂钴酸镍/铜氧化物/泡沫铜异质结构材料的制备方法,它涉及双金属氧化物材料的制备方法。它是要解决现有的双金属氧化物的倍率性差的技术问题。本发明通过诱导清洗过的泡沫铜表面生长出铜纳米线,再浸泡在低浓度葡萄糖以及通过在高温煅烧的策略,生成不同价态的铜氧化物,之后在纳米线上生长普鲁士蓝类似物,再经历两步退火,生成磷掺杂的钴酸镍/铜氧化物/泡沫铜的异质结构材料。本发明的磷掺杂钴酸镍/金属氧化物/泡沫铜异质结构材料的电容在电流密度为3A g‑1时为1427F g‑1,当电流密度从3A g‑1增至20A g‑1时,电容保持率达86%。可用于高性能电容器领域。

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