公开(公告)号：CN105417508A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201511018335.7

申请日：2015-12-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 林凯峰 ,  李煜东 ,  姜艳秋 ,  许宪祝

IPC: C01B21/082 ,  B01J27/24 ,  B01J35/10

CPC classification number: C01B21/082 ,  B01J27/24 ,  B01J35/10 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/04 ,  C01P2006/16

Abstract: 一种大孔g-C3N4的制备方法，它涉及一种g-C3N4的制备方法。本发明是要解决g-C3N4的比表面积较低，光催化效率低的技术问题。本发明：一、制备多孔SiO2小球；二、将多孔SiO2小球和二氰二胺混合成溶液；三、搅拌、过滤、烘干、过筛；四、烧结；五、去除SiO2。本发明的大孔g-C3N4的合成方法是使用多孔SiO2为模板，使用二氰二胺为原料，合成出具有在可见光下高催化效率的大孔g-C3N4，相对于同类型的大孔g-C3N4，具有孔道密集、联通的特点，相对于现有的无孔g-C3N4，催化效率提到了至少三倍，可以用来作为污水的友好处理以及氢能源的制备的优秀催化剂。本发明应用于制备g-C3N4。

公开(公告)号：CN102826510A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210357970.8

申请日：2012-09-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李煜东 ,  杨玉林

IPC: C01B4/00

Abstract: 金属储氘材料AlD3粉末的合成方法，它涉及AlD3的合成方法，本发明是要解决现有的AlH3的合成方法对试验操作要求严格，且合成的AlH3储氢量不高，同类的金属储氘化合物储氘量不高，供能低的技术问题，合成方法按以下步骤实现：在无水的条件下，先将用AlCl3和LiAlD4的无水乙醚溶液混合，然后加入结晶助剂LiBH4，再在真空条件下干燥，得到产物AlD3粉末，合成方法操作简单，合成的AlD3粉末晶型单一，储氘量约为15%~20%，储氘量高，供能大，是高能固体推进剂、固液混合推进剂、复合推进剂等的理想金属储氘材料，可应用在火箭推进剂及科研领域。

公开(公告)号：CN102826510B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201210357970.8

申请日：2012-09-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨玉林 ,  李煜东

IPC: C01B4/00

Abstract: 金属储氘材料AlD3粉末的合成方法，它涉及AlD3的合成方法，本发明是要解决现有的AlH3的合成方法对试验操作要求严格，且合成的AlH3储氢量不高，同类的金属储氘化合物储氘量不高，供能低的技术问题，合成方法按以下步骤实现：在无水的条件下，先将用AlCl3和LiAlD4的无水乙醚溶液混合，然后加入结晶助剂LiBH4，再在真空条件下干燥，得到产物AlD3粉末，合成方法操作简单，合成的AlD3粉末晶型单一，储氘量约为15%~20%，储氘量高，供能大，是高能固体推进剂、固液混合推进剂、复合推进剂等的理想金属储氘材料，可应用在火箭推进剂及科研领域。