基于DFA自适应安全的黑盒可追踪密钥属性加密方法及装置

    公开(公告)号:CN114430321B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202210357035.5

    申请日:2022-04-07

    Abstract: 本发明公开了基于DFA自适应安全的黑盒可追踪密钥属性加密方法及装置,包括:密钥生成中心运行初始化算法产生系统公钥PK和主私钥MSK,并将PK发送给数据拥有者;数据拥有者将PK、需要加密的数据m以及数据m的属性字符串ω作为输入,运行加密算法生成密文CT;数据使用者将身份信息ID和得到授权的确定性有限自动机模型发送给密钥生成中心;密钥生成中心利用MSK、PK、ID和运行密钥生成算法生成解密密钥和用户身份主键KeyID,将(KeyID,ID)存入用户哈希表LIST里,并将发送给数据使用者;数据使用者向云服务器请求密文CT,输入和CT,运行解密算法,解开密文获得数据m。本发明以DFA作为访问结构,能够处理任意长的属性字符串和匹配范围属性,使得访问控制更加灵活。

    基于DFA自适应安全的黑盒可追踪密钥属性加密方法及装置

    公开(公告)号:CN114430321A

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202210357035.5

    申请日:2022-04-07

    Abstract: 本发明公开了基于DFA自适应安全的黑盒可追踪密钥属性加密方法及装置,包括:密钥生成中心运行初始化算法产生系统公钥PK和主私钥MSK,并将PK发送给数据拥有者;数据拥有者将PK、需要加密的数据m以及数据m的属性字符串ω作为输入,运行加密算法生成密文CT;数据使用者将身份信息ID和得到授权的确定性有限自动机模型发送给密钥生成中心;密钥生成中心利用MSK、PK、ID和运行密钥生成算法生成解密密钥和用户身份主键KeyID,将(KeyID,ID)存入用户哈希表LIST里,并将发送给数据使用者;数据使用者向云服务器请求密文CT,输入和CT,运行解密算法,解开密文获得数据m。本发明以DFA作为访问结构,能够处理任意长的属性字符串和匹配范围属性,使得访问控制更加灵活。

    子阵级自适应单脉冲的两级干扰抑制方法

    公开(公告)号:CN102064892A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010608994.7

    申请日:2010-12-28

    Abstract: 子阵级自适应单脉冲的两级干扰抑制方法,涉及一种子阵级自适应单脉冲的干扰抑制方法。它解决现有的子阵级自适应单脉冲的干扰抑制方法的单脉冲性能较差、远算代价较高的问题。它包括两级干扰抑制:第一级干扰抑制为具有主瓣保形的旁瓣干扰抑制,其方法为:将具有方向图控制性能的子阵级ADBF与主瓣保形相结合,在保持主瓣形状的同时对旁瓣干扰进行抑制;第二级干扰抑制为主瓣干扰抑制,其方法为:采用4通道单脉冲系统进行主瓣干扰抑制;所述4通道单脉冲系统的4通道的含义为4个接收通道分别形成4个波束,即:和波束、俯仰差波束、方位差波束和双差波束。本发明适用于子阵级自适应单脉冲的干扰抑制。

    分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件

    公开(公告)号:CN100586838C

    公开(公告)日:2010-02-03

    申请号:CN200710144470.5

    申请日:2007-10-19

    Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件,它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔,密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层,密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成,密封绝缘介质封装体中部的厚度t为5-20μm。本发明在10~50GHz的微波频段工作,具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗<-0.2dB、反射系数低于-20dB、相移量也具有非常好的线性关系。

    分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件

    公开(公告)号:CN101143706A

    公开(公告)日:2008-03-19

    申请号:CN200710144470.5

    申请日:2007-10-19

    Abstract: 分布式微机电系统移相器芯片级微封装构件,它涉及一种微机电系统(MEMS)移相器芯片级微封装构件。本发明的目的是为解决现有键合方法存在寄生效应和相互干扰强、增加器件的体积和损耗、形状发生畸变、制备工艺复杂和气体污染的问题。本发明密封绝缘介质封装体上开有上下相通的孔,密封绝缘介质封装体的上表面上固定有密封剂层,密封绝缘介质封装体由聚酰亚胺、氮化硅或者二氧化硅材料制成,密封绝缘介质封装体的厚度(t)为5-20μm。本发明在10~50GHz的微波频段工作,具有寄生效应低、相互干扰低、工艺兼容性好、形状无畸变、工艺简单、无气体污染和体积小的优点。本发明的插入损耗<-0.2dB、反射系数低于-20dB、相移量也具有非常好的线性关系。

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