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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103909265A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410148317.X
申请日：2014-04-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 钼-钨酸钪复合材料及其制备方法，它属于复合材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法。钼-钨酸钪复合材料由钨酸钪、铁和钼制成，制备方法：一、称取原料；二、将步骤一的原料分散在分散剂中，在真空条件下烘干，然后将烘干后的浆料球磨研碎，得到混合粉料；三、将混合粉料烧结，得到钼-钨酸钪复合材料。本发明制备的钼-钨酸钪复合材料的室温抗拉强度为300MPa～400MPa，600℃抗拉强度为120MPa～160MPa，25℃～600℃热膨胀系数为－1×10-6K-1～0.3×10-6K-1，弹性模量≤100GPa。本发明属于复合材料的制备领域。
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公开(公告)号：CN103757603B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410005289.6
申请日：2014-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硼化锆涂层的制备方法，它涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决现有化学气相沉积法制备ZrB2过程中，采用先将ZrCl4加热到升华温度以上，然后再经过流量计通入反应室的方法需要对气路进行保温处理，而且对气体流量计要求很高的问题。制备方法：使用双温区加热方式，以ZrCl4、BCl3和H2作为源气体、Ar气或N2作为载气和保护性气体，采用化学气相沉积法制备二硼化锆涂层。采用本发明的方法不需要对气路进行专门保温处理，ZrCl4流量的控制可以通过控制温度的方法来实现。本发明可用于制备二硼化锆涂层。
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公开(公告)号：CN103819227B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410001380.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决目前的石墨材料、C/C复合材料和C/SiC复合材料表面的硅基陶瓷涂层抗氧化性能差的技术问题。本发明的制备方法采用包埋法：一、中间层SiC的制备；二、ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备。本发明制备的陶瓷涂层抗氧化性能强。本发明主要应用于制备硼化锆基陶瓷涂层领域中。
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公开(公告)号：CN103819227A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410001380.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决目前的石墨材料、C/C复合材料和C/SiC复合材料表面的硅基陶瓷涂层抗氧化性能差的技术问题。本发明的制备方法采用包埋法：一、中间层SiC的制备；二、ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备。本发明制备的陶瓷涂层抗氧化性能强。本发明主要应用于制备硼化锆基陶瓷涂层领域中。
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公开(公告)号：CN103757603A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410005289.6
申请日：2014-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硼化锆涂层的制备方法，它涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决现有化学气相沉积法制备ZrB2过程中，采用先将ZrCl4加热到升华温度以上，然后再经过流量计通入反应室的方法需要对气路进行保温处理，而且对气体流量计要求很高的问题。制备方法：使用双温区加热方式，以ZrCl4、BCl3和H2作为源气体、Ar气或N2作为载气和保护性气体，采用化学气相沉积法制备二硼化锆涂层。采用本发明的方法不需要对气路进行专门保温处理，ZrCl4流量的控制可以通过控制温度的方法来实现。本发明可用于制备二硼化锆涂层。
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