公开(公告)号：CN112209717B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202011085064.8

申请日：2020-10-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 康鹏超 ,  刘豪 ,  武高辉 ,  张体恩 ,  刘祉祎

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/83 ,  C04B35/622

Abstract: 一种耐烧蚀碳‑陶瓷‑合金复合材料及其制备方法，涉及一种耐烧蚀复合材料及其制备方法。目的是解决耐烧蚀复合材料的致密度低、周期长、热膨胀系数差异大和烧蚀过程中碳‑金属反应的问题。方法：将碳基体浸没在有机陶瓷前驱体熔液中进行压力浸渗，然后高温热解，再进行合金熔液压力浸渗。本发明利用压力浸渗法结合前驱体裂解法制备碳‑陶瓷‑合金结构的耗散防热复合材料，周期短、致密度高，抗热震性能好和线烧蚀率低。本发明适用于制备耐烧蚀复合材料。

公开(公告)号：CN116425162A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310399081.6

申请日：2023-04-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 康鹏超 ,  赵旗旗 ,  卫增岩 ,  王平平 ,  张体恩 ,  姜龙涛 ,  武高辉

IPC: C01B32/984 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种通过层层组装高产量制备高纯SiC纳米线的方法，本发明涉及制备高纯SiC纳米线的方法领域。本发明是为了解决目前SiC纳米线合成工艺复杂和苛刻、制备周期长、成本高，且纳米线纯度低、产量低的问题。方法：一、硅粉和碳基板预处理；二、SiC纳米线合成。本发明打破反应气体的浓度分布，不仅能在石墨基板上获得大量高纯度纳米线，同时在硅源位置也能获得大量纳米线，石墨基板和硅源这两个位置生长纳米线，显著提高纳米线的产量。本发明所制备的SiC纳米线在高温陶瓷，光电器件、微波吸收等领域拥有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN112209717A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202011085064.8

申请日：2020-10-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘豪 ,  康鹏超 ,  武高辉 ,  张体恩 ,  刘祉祎

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/83 ,  C04B35/622

Abstract: 一种耐烧蚀碳‑陶瓷‑合金复合材料及其制备方法，涉及一种耐烧蚀复合材料及其制备方法。目的是解决耐烧蚀复合材料的致密度低、周期长、热膨胀系数差异大和烧蚀过程中碳‑金属反应的问题。方法：将碳基体浸没在有机陶瓷前驱体熔液中进行压力浸渗，然后高温热解，再进行合金熔液压力浸渗。本发明利用压力浸渗法结合前驱体裂解法制备碳‑陶瓷‑合金结构的耗散防热复合材料，周期短、致密度高，抗热震性能好和线烧蚀率低。本发明适用于制备耐烧蚀复合材料。