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公开(公告)号：CN104445443B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410815723.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/46
Abstract: 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法，本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法：在Si基底上制备Co镀层，然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节气体流量、压强，升温到一定温度后，再通入氧气，调节氩气及氧气气体流量，调节温度、射频功率、压强，进行沉积，沉积结束后，即得到纳米片结构氧化钴电极。本发明用于制备纳米片结构氧化钴电极。
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公开(公告)号：CN104475898B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410828181.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有异种材料钎焊的过程中接头极易产生较大残余应力，进而严重削弱接头的力学性能，甚至导致已经连接好的接头发生破坏的问题。方法：打磨去除陶瓷基复合材料和金属材料表面杂质，然后将纳米氧化铝模板和钎料混合均匀，得到复合多孔中间层钎料，将陶瓷基复合材料与金属材料依次叠放，然后将复合多孔中间层钎料置于陶瓷基复合材料与金属材料待焊接面之间，得到待焊件；将待焊件置于真空钎焊炉中，抽真空，并在高温下保温，最后冷却至室温，即完成多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊过程。本发明用于多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊。
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公开(公告)号：CN104475898A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410828181.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有异种材料钎焊的过程中接头极易产生较大残余应力，进而严重削弱接头的力学性能，甚至导致已经连接好的接头发生破坏的问题。方法：打磨去除陶瓷基复合材料和金属材料表面杂质，然后将纳米氧化铝模板和钎料混合均匀，得到复合多孔中间层钎料，将陶瓷基复合材料与金属材料依次叠放，然后将复合多孔中间层钎料置于陶瓷基复合材料与金属材料待焊接面之间，得到待焊件；将待焊件置于真空钎焊炉中，抽真空，并在高温下保温，最后冷却至室温，即完成多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊过程。本发明用于多孔中间层结构钎缝的异种材料钎焊。
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公开(公告)号：CN104445443A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410815723.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法，本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法：在Si基底上制备Co镀层，然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节气体流量、压强，升温到一定温度后，再通入氧气，调节氩气及氧气气体流量，调节温度、射频功率、压强，进行沉积，沉积结束后，即得到纳米片结构氧化钴电极。本发明用于制备纳米片结构氧化钴电极。
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