Patent search ap:("哈尔滨工业大学") AND inv:"刘锋凯" Page 1

1.

发明公开
基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法及系统审中-实审

公开(公告)号：CN115659837A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211415053.0

申请日：2022-11-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李兴冀 , 杨剑群 , 刘锋凯 , 吕钢

IPC: G06F30/27 , G06F17/11

Abstract: 本申请涉及基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法及系统，所述基于器件真实工艺状态的剂量率辐射损伤仿真方法包括：获取基于器件真实工艺状态的辐射损伤实际参数，根据所述辐射损伤实际参数，得到界面态和氧化物电荷，根据所述界面态、所述氧化物电荷和所述辐射损伤实际参数构建辐射损伤仿真模型；通过微观反应方程和反应势垒，获取界面态和氧化物电荷，对其进行仿真训练，得到辐射损伤仿真模型。本申请的方法通过辐射损伤仿真模型，能够快速模拟辐射损伤。

Patent Agency Ranking