公开(公告)号：CN116023132B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202211720109.3

申请日：2022-12-30

Applicant: 哈尔滨商业大学

Inventor： 曹文萍 ,  高岩 ,  李伟力

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 利用B‑O位缺陷诱导高应变性能的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法，本发明要解决现有铁电陶瓷应变小且滞后性严重的问题。钛酸铋钠基陶瓷的制备方法如下：先采用固相球磨法制备受主MnO掺杂的(Na0.5Bi0.5)0.74Sr0.26Ti0.997O3‑0.003MnO陶瓷粉体，在850～950℃的温度下预烧粉体，然后粉末冷压成片，在1130℃～1180℃温度下烧结，最后退火、老化处理后得到致密的陶瓷。本发明通过受主掺杂在铁电相与弛豫相共存的0.74Na0.5Bi0.5TiO3‑0.26SrTiO3陶瓷中构造缺陷偶极子，利用缺陷偶极子使畴翻转可逆和电场引发相变的共同作用来获得应变大滞后小的NBT基陶瓷。

公开(公告)号：CN110511019A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910949705.0

申请日：2019-10-08

Applicant: 哈尔滨商业大学

Inventor： 曹文萍 ,  李伟力 ,  张文钟

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 一种有效降低应变滞后性的BNT基无铅铁电陶瓷及其制备方法，它涉及一种窄滞后的陶瓷的制备方法。本发明要解决现有铁电陶瓷应变滞后性严重的问题。本发明的制备方法如下：a)利用固相球磨法制备受主(MnO)掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.65Sr0.35Ti(1-x)O3-xMnO陶瓷粉体；b)在850～950℃温度下预烧粉体；c)将粉末冷压成片，在1140℃-1160℃温度下烧结成致密的陶瓷。本发明通过受主掺杂在四方相区的0.65BNT-0.35ST陶瓷中构建缺陷偶极子，利用缺陷偶极子使畴翻转可逆制备出应变大滞后小的铁电陶瓷，该方法在其他陶瓷的制备中从未出现。本发明应用于制备陶瓷领域。

公开(公告)号：CN116023132A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211720109.3

申请日：2022-12-30

Applicant: 哈尔滨商业大学

Inventor： 曹文萍 ,  高岩 ,  李伟力

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B41/88

Abstract: 利用B‑O位缺陷诱导高应变性能的钛酸铋钠基陶瓷及其制备方法，本发明要解决现有铁电陶瓷应变小且滞后性严重的问题。钛酸铋钠基陶瓷的制备方法如下：先采用固相球磨法制备受主MnO掺杂的(Na0.5Bi0.5)0.74Sr0.26Ti0.997O3‑0.003MnO陶瓷粉体，在850～950℃的温度下预烧粉体，然后粉末冷压成片，在1130℃～1180℃温度下烧结，最后退火、老化处理后得到致密的陶瓷。本发明通过受主掺杂在铁电相与弛豫相共存的0.74Na0.5Bi0.5TiO3‑0.26SrTiO3陶瓷中构造缺陷偶极子，利用缺陷偶极子使畴翻转可逆和电场引发相变的共同作用来获得应变大滞后小的NBT基陶瓷。