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公开(公告)号：CN110511019A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910949705.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 哈尔滨商业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 一种有效降低应变滞后性的BNT基无铅铁电陶瓷及其制备方法，它涉及一种窄滞后的陶瓷的制备方法。本发明要解决现有铁电陶瓷应变滞后性严重的问题。本发明的制备方法如下：a)利用固相球磨法制备受主(MnO)掺杂的(Bi0.5Na0.5)0.65Sr0.35Ti(1-x)O3-xMnO陶瓷粉体；b)在850～950℃温度下预烧粉体；c)将粉末冷压成片，在1140℃-1160℃温度下烧结成致密的陶瓷。本发明通过受主掺杂在四方相区的0.65BNT-0.35ST陶瓷中构建缺陷偶极子，利用缺陷偶极子使畴翻转可逆制备出应变大滞后小的铁电陶瓷，该方法在其他陶瓷的制备中从未出现。本发明应用于制备陶瓷领域。
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