公开(公告)号：CN100587129C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200710171815.6

申请日：2007-12-06

Applicant: 同济大学

Inventor： 顾牡 ,  高攀 ,  刘小林 ,  黄世明 ,  刘波 ,  张甜

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/08

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种大尺寸CuI晶体的生长方法。本发明采用溶液降温与溶剂蒸发相结合的技术，具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点。晶体外形呈长方体，尺寸达到厘米量级。所生长出的CuI晶体为γ相，其纯度高、缺陷少、形貌好和尺寸大，因而作为新一代超快闪烁体，在超高计数率X-射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要价值，同时还可以用做快离子导体。

公开(公告)号：CN101255599A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710171815.6

申请日：2007-12-06

Applicant: 同济大学

Inventor： 顾牡 ,  高攀 ,  刘小林 ,  黄世明 ,  刘波 ,  张甜

IPC: C30B29/12 ,  C30B7/08

Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种大尺寸CuI晶体的生长方法。本发明采用溶液降温与溶剂蒸发相结合的技术，具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点。晶体外形呈长方体，尺寸达到厘米量级。所生长出的CuI晶体为γ相，其纯度高、缺陷少、形貌好和尺寸大，因而作为新一代超快闪烁体，在超高计数率X－射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要价值，同时还可以用做快离子导体。