公开(公告)号：CN101562208A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910067032.2

申请日：2009-06-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  孔祥梓 ,  骆俊谕 ,  李福民 ,  陶晨 ,  瞿鹏飞 ,  张歆东 ,  董玮 ,  刘彩霞

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C23C14/34

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于半导体光电探测器件领域，具体涉及一种以石英为衬底，以纳米TiO2薄膜为基本紫外光探测材料，以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底，采用M－S－M(金属－半导体－金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是：采用溶胶－凝胶技术，在石英衬底上生长一层TiO2纳米薄膜，然后再在制备好的TiO2薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触，采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器，采用背入射方式工作，可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm～350nm的紫外线具有良好的检测性能。

公开(公告)号：CN101562208B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200910067032.2

申请日：2009-06-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 阮圣平 ,  孔祥梓 ,  骆俊谕 ,  李福民 ,  陶晨 ,  瞿鹏飞 ,  张歆东 ,  董玮 ,  刘彩霞

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  C23C14/34

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于半导体光电探测器件领域，具体涉及一种以石英为衬底，以纳米TiO2薄膜为基本紫外光探测材料，以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底，采用M-S-M(金属-半导体-金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是：采用溶胶-凝胶技术，在石英衬底上生长一层TiO2纳米薄膜，然后再在制备好的TiO2薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触，采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器，采用背入射方式工作，可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm～350nm的紫外线具有良好的检测性能。