反型结构聚合物太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN101577313A

    公开(公告)日:2009-11-11

    申请号:CN200910067138.2

    申请日:2009-06-19

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明属于聚合物太阳能电池技术领域,具体涉及一种使用TiO2作为电子传输层、CuPc作为空穴传输层、电极反型的聚合物太阳能电池及其制备方法。其是采用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体二氧化钛(TiO2)薄膜,然后旋涂上一层二氯苯溶解的P3HT:PCBM溶液,退火后,使用热蒸发生长一层一定厚度的酞菁铜(CuPc),最后蒸发金(Au)电极。利用本方法制备的反型结构聚合物太阳能电池,解决了传统的聚合物太阳能电池中存在的两个问题,即聚3,4-乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸混合溶液腐蚀ITO玻璃表面,和阴极缓冲层氟化锂(LiF)的厚度过薄,操作过程难于精确控制的问题。

    背入射式TiO2紫外光探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN101562208B

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN200910067032.2

    申请日:2009-06-02

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明属于半导体光电探测器件领域,具体涉及一种以石英为衬底,以纳米TiO2薄膜为基本紫外光探测材料,以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底,采用M-S-M(金属-半导体-金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是:采用溶胶-凝胶技术,在石英衬底上生长一层TiO2纳米薄膜,然后再在制备好的TiO2薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触,采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器,采用背入射方式工作,可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm~350nm的紫外线具有良好的检测性能。

    背入射式TiO2紫外光探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN101562208A

    公开(公告)日:2009-10-21

    申请号:CN200910067032.2

    申请日:2009-06-02

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明属于半导体光电探测器件领域,具体涉及一种以石英为衬底,以纳米TiO2薄膜为基本紫外光探测材料,以Ni为金属电极的背入射式紫外光探测器及其制备方法。该探测器以石英为衬底,采用M-S-M(金属-半导体-金属)结构。该紫外光探测器的制作方法是:采用溶胶-凝胶技术,在石英衬底上生长一层TiO2纳米薄膜,然后再在制备好的TiO2薄膜上通过磁控溅射的方法蒸发一层薄Ni实现电极接触,采用光刻技术得到Ni插指状电极。本发明制备的MSM平面双肖特基势垒结构紫外光探测器,采用背入射方式工作,可大幅提高器件的响应度。器件对波长250nm~350nm的紫外线具有良好的检测性能。

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