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公开(公告)号：CN119931643A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411901425.X
申请日：2024-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提出了一种氟掺杂的非铅全无机金属卤化物钙钛矿发光材料及其制备方法，本发明通过在前驱体中引入F−可以将非铅全无机钙钛矿中的卤素位点的卤素离子部分替换为F−，由于F−拥有极小的离子半径（约1.33 Å），其掺杂通常会引发显著的局部晶格畸变，从而改变材料的晶格结构和能带特性。这些性质使F−成为调控金属卤化物钙钛矿及相关材料发光性质的理想选择。CsCdCl3原始非铅全无机钙钛矿材料的荧光量子产率（PLQY）为19.20%，而引入F−后的全无机钙钛矿材料的荧光量子产率可以达到97.55%。
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公开(公告)号：CN119931659A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411901427.9
申请日：2024-12-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提出了一种卤素空位掺杂的非铅全无机金属卤化物钙钛矿发光材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。本发明通过向非铅全无机钙钛矿中的卤素位点引入部分卤素空位，卤素空位的形成导致晶格中卤素的缺失，周围阳离子的配位环境发生改变，键长和键角出现畸变，进而影响材料的载流子迁移、能带结构以及发光特性。这些性质使卤素空位成为调控金属卤化物钙钛矿及相关材料发光性质的理想选择。本发明实施例中Cs2NaBiCl6原始非铅全无机钙钛矿材料的荧光量子产率（PLQY）为0.00%，而引入卤素空位后的全无机钙钛矿材料的荧光量子产率可以达到79.12%。
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公开(公告)号：CN118146793A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410122837.7
申请日：2024-01-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提出了一种赝卤素掺杂的非铅全无机金属卤化物钙钛矿发光材料及其制备方法，本发明通过在前驱体中引入赝卤素阴离子可以将非铅全无机钙钛矿中的X位的卤素离子部分替换为赝卤素阴离子，由于赝卤素阴离子与卤离子具有明显不同的离子半径，这种结构上的变化可以改变B位金属的配位环境，减少材料缺陷同时减缓激子分离速度以改变并提高非铅全无机钙钛矿材料的光学性质。CsMnBr3·2H2O原始非铅全无机钙钛矿材料的荧光量子产率(PLQY)为5％，而引入赝卤素阴离子后的全无机钙钛矿材料的荧光量子产率可以达到74.6％。采用相同的方法，在Cs3Cu2I5掺杂后晶体诱导出一个新的发射光谱，实现了从无光发射到发射效率达到99.01％的突破，已有的发射光谱的效率也从73.7％提高至93.19％。
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