公开(公告)号：CN116230748A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310379691.X

申请日：2023-04-11

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陆景彬 ,  张跃辉 ,  李承乾

IPC: H01L29/16 ,  H01L31/028 ,  H01L31/041 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明属于半导体器件技术与核技术利用技术领域，公开了同位素30Si在提高半导体器件抗质子辐射、导电性中的应用，利用同位素30Si提高单晶硅半导体器件抗质子辐射能力和导电能力。且本发明通过将同位素30Si制备成单晶硅半导体器件，且获得的30Si单晶硅半导体器件中，在质子能量处于10～20keV辐照下，单晶硅30Si产生的稳定点缺陷数比28Si低11％～14％，在室温300K下30Si的结合能比28Si略大，能带宽度有微弱的降低，证明将同位素30Si制备成单晶硅半导体器件后，能够有效提高单晶硅半导体器件的抗辐射性能和导电性，进而能够延长在轨器件的使用寿命和性能。

公开(公告)号：CN111479377A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010320175.6

申请日：2020-04-22

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陆景彬 ,  刘佳溪 ,  许旭 ,  李承乾

IPC: H05H6/00 ,  H05H3/06 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C08F110/02 ,  C08J5/18 ,  C08L23/06

Abstract: 本发明涉及一种D-D中子管靶膜保护层，包括以下步骤：第一，制备氘代乙炔，选用碳化钙与重水反应制取氘代乙炔。第二，制备氘气，采取电解重水制取氘气，所用的电解池为石英玻璃制作的，电极为铂金制作。第三，制备氘代聚乙烯，选择催化剂催化氘代乙炔加氘气反应，使反应停留在生产氘代乙烯的阶段。加入引发剂，使氘代乙烯发生聚合反应生产氘代聚乙烯。第四，制备氘代聚乙烯靶膜，用溶液蒸发法制备氘代聚乙烯靶膜。第五，使用真空蒸镀技术为氘代聚乙烯靶膜镀氮化硼保护层，厚度为0.25μm。本发明通过选择合适的中子管靶膜保护层材料，即氮化硼，有效的解决了氘代聚乙烯靶中子产额高，但寿命短的问题。

公开(公告)号：CN119192704A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411003470.3

申请日：2024-07-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陆景彬 ,  孔祥铎 ,  李承乾

IPC: C08L23/06 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  G21F1/10

Abstract: 本发明涉及核技术应用领域，具体涉及一种用于中子探测器的中子‑伽马屏蔽体设计方法。本发明主要使用高密度聚乙烯(HDPE)作为纳米基体，在此基础上将钆(Gadolinium)以及氧化铅(Lead Oxide)作为纳米填料，采用梯度复合的设计，形成一种新型的中子‑伽马屏蔽体。与传统屏蔽体相比，本发明采用的梯度复合与纳米填料的方式克服了传统复合材料中因应力集中导致界面失效的问题，显著改善了整体散热性能，在保持优异抗辐射性能的同时，实现了热电绝缘和耐腐蚀的特性，此外，本发明在一定程度上增强了传统聚合物屏蔽体的机械性能，同时减轻了传统复合材料屏蔽体的质量。

公开(公告)号：CN109290153A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201811123021.7

申请日：2018-09-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陆景彬 ,  刘佳溪 ,  许旭 ,  王皓迪 ,  李承乾

IPC: B05D7/00

Abstract: 本发明公开了一种属于核辐射探测器领域，特别涉及一种闪烁晶体反射层的制作工艺，主要包括二氧化钛复合材料的制备。所述复合材料为金红石型纳米级二氧化钛，并经过包膜处理与温度为105℃的PEG-400混合，将此复合材料应用于闪烁晶体反射层，并在其表面包裹ZnS，发挥其高反射和荧光性能，满足光子能集中地向光电倍增管方向射出去，提高闪烁探测器的分辨率和光收集效率。在核物理探测器光收集方向具有广泛的应用前景。