公开(公告)号：CN116487086A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310643879.0

申请日：2023-06-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陆景彬 ,  崔启明 ,  郑人洲 ,  袁鑫旭 ,  张雪 ,  陈子怡 ,  梁磊 ,  曾玉刚

IPC: G21H1/04 ,  H01L31/055 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明属于核电池技术领域，公开一种基于90SrHfO3:Ce的β辐致伏特/光伏双效应核电池，且所述基于90SrHfO3:Ce的β辐致伏特/光伏双效应核电池包括：半导体器件A，以及其上依次叠层设置的闪烁体层、半导体器件B、放射源层和反射膜；其中，所述闪烁体层为铈掺杂的LYSO陶瓷材料；所述放射源层为铈掺杂的含有90Sr的闪烁陶瓷90SrHfO3:Ce；且所述半导体器件A与所述半导体器件B串联。本发明的电池有效地避免了半导体的辐射损伤，并实现了载能换能一体化，提高了核电池的输出性能，从根本上解决了由于放射源自吸收效应带来的不利影响，同时解决核电池的能量转换效率低的问题。

公开(公告)号：CN115171944A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210799059.6

申请日：2022-07-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陆景彬 ,  张雪 ,  郑人洲 ,  王宇 ,  陈子怡 ,  梁磊 ,  曾玉刚

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs/AlxGa1‑xAs异质结β辐射伏特效应核电池。其基本结构为放射源63Ni、p面电极、p型GaAs帽子层、p型AlxGa1‑xAs窗口层、p型AlxGa1‑xAs发射层、n型AlxGa1‑xAs基层、n型GaAs缓冲层、n面电极。在上述核电池结构中，帽子层使用重掺杂，有利于欧姆接触。窗口层使用宽带隙AlGaAs，与发射层形成的势垒差可抑制少数电子的扩散，减少少数电子在界面处的复合。核电池的核心区域是发射层和基层,核心区域产生电子空穴对，然后被内建电场分离。缓冲层抑制少数空穴的扩散，同时提高半导体器件的稳定性，改善器件的性能，增加器件的寿命。该GaAs/AlxGa1‑xAs异质结核电池能够产生更大的内建电势差，可实现更高的开路电压，进而提高电池的输出功率，从而提升电池的输出性能。