公开(公告)号：CN102709475A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210179120.3

申请日：2012-06-01

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李传南 ,  张健 ,  崔国宇 ,  高志杨 ,  刘川 ,  赵毅

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/52 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明属于有机半导体器件技术领域，具体涉及一种应用碱金属铷化合物作为阴极缓冲层材料或电子注入层N型掺杂材料的有机半导体器件。碱金属铷化合物为RbBr、Rb2CO3、Rb2SO4、RbOH、RbNO3、RbClO4，RbCl、RbI、RbF等。本发明将Rb的化合物形成单一阴极缓冲层或与有机材料共掺杂制作在有机半导体器件中有机层和阴极之间，有效地增强了有机半导体器件的电子注入和传输，进而提高有机半导体器件的各项性能。