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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118076198A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410219897.0
申请日：2024-02-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于双层改性策略的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，解决了现有钙钛矿太阳能电池器件性能提升受限的问题。本发明实现了一种简单有效的双层改性策略，将具有核壳结构的高导电性EGaIn NPs(LM NPs)引入SnO2电子传输层中，降低了电子传输层的缺陷密度，增强了导电性和电子提取能力；还将具有羰基‑C＝O和疏水官能团‑CF3的小分子材料[双(三氟乙酰氧基)碘代]五氟苯(FP)引入钙钛矿层中,降低了钙钛矿层的缺陷密度，增强了其疏水性和晶体质量，实现了稳定且良好的载流子传输。基于上述双层改性的协同效应，钙钛矿太阳能电池成功地实现了23.15％的光电转换效率(PCE)。
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公开(公告)号：CN119039584A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202311344236.2
申请日：2023-10-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于羧基化石墨烯量子点修饰聚苯胺的室温氨气传感材料及其制备方法和应用。本发明属于气体传感材料及其制备领域。本发明是为了实现农药喷洒过程中氨气的多角度实时安全监测。本发明通过使用羧基化石墨烯量子点对PANI进行改性，利用羧基化石墨烯量子点表面的羧基官能团增强与质子的相互作用，建立质子传导途径，促进质子吸附和传导，从而显著增强复合材料内部的电子转移，继而提高复合材料对NH3的灵敏度。同时结合刚性或柔性基材，用于农药喷洒过程中农民的多角度实时安全监测。
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公开(公告)号：CN118544653A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410219896.6
申请日：2024-02-28
Applicant: 吉林大学
IPC: B32B27/02 , D01F6/54 , D01F1/10 , H02N1/04 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/40 , B32B27/34 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B33/00 , B32B27/06 , B32B15/14 , B32B15/082 , B32B15/085 , B32B15/088 , B32B15/09 , B32B15/095 , D04H1/43 , D04H1/4318 , D04H1/728
Abstract: 基于APTES修饰PAN的柔性可穿戴摩擦纳米发电机摩擦层材料和制备方法，涉及柔性可穿戴摩擦纳米发电机领域。解决现有的可穿戴电子设备的续航时间短以及在面向实际的应用中，制备流程复杂，成本昂贵，性能较差，工作稳定低的问题。本发明所述的制备方法包括以下步骤：将聚丙烯腈溶于N,N‑二甲基甲酰胺溶液中，加热搅拌得到高聚物前驱体；将3‑氨丙基三乙氧基硅烷加入到所述到高聚物前驱体中，搅拌均匀得到纺丝液；通过静电纺丝工艺将纺丝液制备为纳米纤维薄膜；将制备的纳米纤维薄膜烘干得到摩擦层。还适用于聚丙烯腈纳米纤维薄膜的柔性可穿戴摩擦纳米发电机摩擦层材料的制备实验中。
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公开(公告)号：CN113049647B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202110295706.5
申请日：2021-03-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了封装金属有机框架(MOF)分子过滤层的三维大孔结构制备H2S敏感材料的方法，包括：制备氧化物半导体前驱体溶液；利用自模板牺牲法制备具有三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；制备有机配体溶液；将制得的具有三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料放入有机配体溶液中，形成具有MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；利用贵金属修饰具有MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料，形成具有贵金属修饰的MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；本发明提供的敏感材料制备的传感器具有高响应灵敏度和低检测下限的特性，同时能够提升选择性，降低干扰气体的交叉响应。
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公开(公告)号：CN113049647A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110295706.5
申请日：2021-03-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了封装金属有机框架(MOF)分子过滤层的三维大孔结构制备H2S敏感材料的方法，包括：制备氧化物半导体前驱体溶液；利用自模板牺牲法制备具有三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；制备有机配体溶液；将制得的具有三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料放入有机配体溶液中，形成具有MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；利用贵金属修饰具有MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料，形成具有贵金属修饰的MOF分子过滤层封装的三维反蛋白石结构的氧化物半导体敏感材料；本发明提供的敏感材料制备的传感器具有高响应灵敏度和低检测下限的特性，同时能够提升选择性，降低干扰气体的交叉响应。
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