公开(公告)号：CN111987073A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010888516.X

申请日：2020-08-28

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 黄辉祥 ,  毕大炜 ,  韦素芬 ,  潘金艳 ,  林海军 ,  陈铖颖

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明一种基于中子辐照的抗辐照加固SOI器件及其制备方法，所述器件包括从下向上依次形成的衬底、埋氧层和体区，与体区同层设置且相互隔离的源区和漏区，以及设置在体区上的栅区；体区中有通过快中子辐照引入的深能级陷阱。所述制备方法包括，步骤1，在器件衬底和机械支撑衬底上分别生长氧化层；步骤2，对器件衬底的氧化层进行快中子辐照，使得器件衬底的硅层中形成深能级陷阱；步骤3，将机械支撑衬底的氧化层和快中子辐照后的器件衬底的氧化层键合形成一个整体的埋氧层；步骤4，对键合后的器件衬底进行处理，使硅层表层重新恢复单晶状态；步骤5，在硅层表层恢复单晶状态的器件衬底上进行器件流片，制备得到所述器件。

公开(公告)号：CN111987073B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202010888516.X

申请日：2020-08-28

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 黄辉祥 ,  毕大炜 ,  韦素芬 ,  潘金艳 ,  林海军 ,  陈铖颖

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明一种基于中子辐照的抗辐照加固SOI器件及其制备方法，所述器件包括从下向上依次形成的衬底、埋氧层和体区，与体区同层设置且相互隔离的源区和漏区，以及设置在体区上的栅区；体区中有通过快中子辐照引入的深能级陷阱。所述制备方法包括，步骤1，在器件衬底和机械支撑衬底上分别生长氧化层；步骤2，对器件衬底的氧化层进行快中子辐照，使得器件衬底的硅层中形成深能级陷阱；步骤3，将机械支撑衬底的氧化层和快中子辐照后的器件衬底的氧化层键合形成一个整体的埋氧层；步骤4，对键合后的器件衬底进行处理，使硅层表层重新恢复单晶状态；步骤5，在硅层表层恢复单晶状态的器件衬底上进行器件流片，制备得到所述器件。

公开(公告)号：CN217954988U

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202222035928.6

申请日：2022-08-04

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 彭浩 ,  林海军 ,  柴智

IPC: G05F1/567

Abstract: 本实用新型涉及电路技术领域，特别地涉及一种带隙基准电路。本实用新型公开了一种带隙基准电路，包括带隙基准核心电路、负反馈环路、非线性温度补偿电路和偏置电路，负反馈环路用于对带隙基准核心电路进行负反馈，稳定带隙基准核心电路输出的基准电压VREF，负反馈环路采用晶体管构成，非线性温度补偿电路用于对带隙基准核心电路输出的基准电压VREF进行非线性温度补偿，偏置电路用于给负反馈环路提供偏置电压，偏置电路采用共栅共源电流源电路来实现。本实用新型具有低的温漂系数和高的电源抑制比，且没有使用传统的运算放大器结构，有效地减小了电路功耗和电路面积。