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公开(公告)号：CN116632079A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310435698.9
申请日：2023-04-21
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L25/04
Abstract: 本发明涉及探测器技术领域，涉及一种肖特基接触和自主分压的硅漂移探测器阵列及制备方法，其包括多个硅漂移探测器，任一硅漂移探测器均包括N型衬底，N型衬底顶面中心设有实心铝圆环，实心铝圆环外侧依次设有多个铜环；N型衬底底面中心设有实心铜圆环，实心铜圆环外侧也依次设有多个铜环；实心铝圆环、铜环、实心铜圆环外侧覆盖有二氧化硅层，二氧化硅层上方沉积有连接线和分压器；第一个硅漂移探测器左半部分用于布线，通过连接线将各个硅漂移探测器的铜环进行连接，第一个硅漂移探测器右半部分用于分压，对应的铜环通过打孔与分压器连接。本发明能够自主分压，通过金属短接降低了成本，简化了工艺，同时简化了外部电路。
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