公开(公告)号：CN101252155B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810070747.9

申请日：2008-03-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈小韵 ,  刘守 ,  张向苏 ,  任雪畅

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，涉及一种太阳能电池，尤其是涉及一种利用激光全息法并结合湿法刻蚀方法的多晶硅太阳能电池织构减反层制造工艺。提供一种快速制作大面积周期性微结构、成本低廉、减反效果良好的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法。多晶硅硅片的预处理；在预处理后的多晶硅硅片表面的光刻胶材料上进行全息记录，制作二维周期性微结构；以光刻胶为结构模版，采用酸性腐蚀液将结构制作到硅材料中。

公开(公告)号：CN101252155A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810070747.9

申请日：2008-03-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈小韵 ,  刘守 ,  张向苏 ,  任雪畅

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 多晶硅太阳能电池织构层的制备方法，涉及一种太阳能电池，尤其是涉及一种利用激光全息法并结合湿法刻蚀方法的多晶硅太阳能电池织构减反层制造工艺。提供一种快速制作大面积周期性微结构、成本低廉、减反效果良好的多晶硅太阳能电池织构层的制备方法。多晶硅硅片的预处理；在预处理后的多晶硅硅片表面的光刻胶材料上进行全息记录，制作二维周期性微结构；以光刻胶为结构模版，采用酸性腐蚀液将结构制作到硅材料中。